TFT光刻DICD均一性改善优化

为了对TFT((Thin Film Transistor)光刻DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善,分析了光刻DICD存在差异性的原因,并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先,根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大,DICD最小(DICD_(min))原则,提出了调整光刻平面,使其与系统最佳焦平面趋势一致,可减小DICD差异性。接着,计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的DICD差值(DICD-DICD_(min)),并通过结合光刻区域台板平坦度,判断DICD-DICD_(min)各差值的正负性。然后,采用最小二乘法对光刻区域DICD-DICD_(min)进行平面方程拟合,该平面即为光刻趋势平面,并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后,以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程,并对光刻区域台板高度进行调整,从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明:该方法连续实验3次,DICD均一性可改善30%以上。

光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响

光刻胶经过曝光、显影后的锥角(Taper)和关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)是光刻工艺的重要参数。明确影响锥角和DICD的工艺参数,进而控制锥角和DICD,这对工艺制程至关重要。本文结合光刻制程,探究了光刻胶厚度、曝光剂量、Z值、显影时间对锥角和DICD的影响,并结合蒙特卡罗算法对显影制程进行评估。实验结果表明:光刻胶厚度每增加1μm,DICD增加约2.6μm。同时,厚度增加会导致光刻胶顶部的锥角逐渐由锐角向钝角演变。曝光剂量每增加10mJ/s,DICD则减小约0.8μm,锥角则呈阈值跳跃式上升趋势。基板在最佳焦平面曝光,DICD和锥角均一性最好。显影时间每增加10s,DICD下降约0.3m,锥角则增加约1.7°。最终,DICD和锥角呈负相关关系,可以通过调节光刻工艺参数对锥角和DICD进行控制。

氮化镓发光二级管蓝光转换材料的合成和发光性质

合成了Ce3+掺杂的稀土石榴石结构复合氧化物体系(Y1-xGdx)3Al5O12、(Y1-xLux)3Al5O12、(Y1-xLax)3Al5O12、(Y1-xYbx)3Al5O12和(Y1-xTbx)3Al5O12.重点研究了(Y1-xGdx)3Al5O12:Ce3+和(Y1-xLux)3Al5O12:Ce3+两个体系的晶体结构和发光性质.这些体系都具有立方石榴石结构.(Y1-xGdx)3Al5O12:Ce3+体系随Gd取代Y,晶胞参数略有增加.荧光光谱的发射波长随Gd浓度增加发生红移,当x=0.5时发射波长达到最大值(560nm),并不再随Gd含量增加而变化.(Y1-xLux)3Al5O12:Ce3+的晶胞参数随Lu取代Y而减小,但均保持了立方石榴石结构.荧光光谱的发射波长随Lu3+的增加向短波方向移动,Lu3Al5O12:Ce3+的发射波长的峰值为520nm,体系的蓝移量是20nm.利用分离发光中心的位形坐标模型对波长的移动作了定性解释.这两个体系的发射波长的可调节特性,对改善与氮化镓发光二极管(LED)匹配的蓝光转换材料的色坐标、色温等显色性质具有重要意义.

真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响

液晶显示器薄膜晶体管(TFT)的栅极需经光刻工艺制得。在光刻工艺中,除曝光与显影环节外,光刻胶显影后的关键尺寸(DICD)和锥角(Taper)还受到真空干燥参数的影响。为此,文章以干燥制程的慢抽时间、保压时间和底压为自变量,DICD和Taper为因变量,采用全因子实验,研究了真空干燥制程对光刻胶DICD和Taper的影响。结果表明:慢抽时间和底压产生的影响较小,保压时间则是关键参数:随着保压时间增加,DICD增加、Taper降低。这是因为随着保压时间增加,光刻胶中的溶剂挥发总量增加,光刻胶更致密,显影速度下降,导致DICD增加;同时,光刻胶顶部溶剂挥发量增加,顶部感光剂浓度增加,导致顶部侧向显影程度增加,最终造成光刻胶Taper下降。此外,建立了DICD和Taper与保压时间的回归方程,可以预测光刻效果,或者由预期的光刻效果反推出所需的保压时间。此工作可为薄膜晶体管光刻产线的参数优化和产品良率提升提供参考。

发展我国人工晶体若干战略问题的探讨

发展我国人工晶体若干战略问题的探讨蒋民华（山东大学晶体材料国家重点实验室，济南２５０１００）ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔａｎｄＳｔｒａｔｅｇｙｏｆＳｙｎｔｈｅｔｉｃＣｒｙｓｔａｌｓｉｎＣｈｉｎａＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂ．ｏｆＣｒｙｓｔ...