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基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
被引量:
2
1
作者
李海松
杨博
+2 位作者
蒋轶虎
高利军
杨靓
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期458-463,共6页
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试...
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。
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关键词
翻转截面
触发器
双互锁触发器
单粒子翻转
三模冗余
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职称材料
基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计
被引量:
3
2
作者
李鹏
孙永节
+1 位作者
陈建军
梁斌
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012年第3期35-40,共6页
随着工艺尺寸的缩减,单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)成为了深亚微米集成电路中备受关注的可靠性问题。本文基于Muller_C单元的静态电路和动态电路,设计了两种时域采样锁存器,并与DICE锁存器相结合,设计出了相应的既抗SEU又抗SET的D...
随着工艺尺寸的缩减,单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)成为了深亚微米集成电路中备受关注的可靠性问题。本文基于Muller_C单元的静态电路和动态电路,设计了两种时域采样锁存器,并与DICE锁存器相结合,设计出了相应的既抗SEU又抗SET的D触发器(Dflip-flops,简称DFF)。通过三维TCAD混合模拟产生的SET,对两种D触发器版图后提取寄生参数的电路网表进行故障注入模拟,Hspice模拟的结果证明:两种DFF在有效抑制SEU的同时,还可以有效地抑制SET。与文献[1]中提出的既抗SEU又抗SET的DFF相比,本文中设计的DFF面积较小,500MHz下动态功耗和静态功耗均有所降低,其中一个DFF的建立时间优于文献[1]中的DFF。
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关键词
Muller_C单元
DICE单元
抗辐照加固DFF
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职称材料
题名
基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
被引量:
2
1
作者
李海松
杨博
蒋轶虎
高利军
杨靓
机构
西安微电子技术研究所
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期458-463,共6页
文摘
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。
关键词
翻转截面
触发器
双互锁触发器
单粒子翻转
三模冗余
Keywords
cross section
DFF
dice-dff
SEU
TMR
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计
被引量:
3
2
作者
李鹏
孙永节
陈建军
梁斌
机构
国防科学技术大学计算机学院
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012年第3期35-40,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076025
61006070)
教育部长江学者和创新团队发展计划(高性能微处理器创新团队)(IRT0614)
文摘
随着工艺尺寸的缩减,单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)成为了深亚微米集成电路中备受关注的可靠性问题。本文基于Muller_C单元的静态电路和动态电路,设计了两种时域采样锁存器,并与DICE锁存器相结合,设计出了相应的既抗SEU又抗SET的D触发器(Dflip-flops,简称DFF)。通过三维TCAD混合模拟产生的SET,对两种D触发器版图后提取寄生参数的电路网表进行故障注入模拟,Hspice模拟的结果证明:两种DFF在有效抑制SEU的同时,还可以有效地抑制SET。与文献[1]中提出的既抗SEU又抗SET的DFF相比,本文中设计的DFF面积较小,500MHz下动态功耗和静态功耗均有所降低,其中一个DFF的建立时间优于文献[1]中的DFF。
关键词
Muller_C单元
DICE单元
抗辐照加固DFF
Keywords
Muller_C
DICE
radiation hardened DFF
分类号
TP331.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
李海松
杨博
蒋轶虎
高利军
杨靓
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
下载PDF
职称材料
2
基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计
李鹏
孙永节
陈建军
梁斌
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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