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不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值
被引量:
1
1
作者
孙绍涛
季来林
+4 位作者
王正平
牟晓明
孙洵
许心光
史崇德
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期331-334,共4页
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方...
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。
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关键词
dkdp
晶体
损伤阈值
晶体生长
惯性约束聚变
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职称材料
题名
不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值
被引量:
1
1
作者
孙绍涛
季来林
王正平
牟晓明
孙洵
许心光
史崇德
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
海军航空工程学院基础部
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期331-334,共4页
基金
国家自然科学基金项目(50721002)
国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金项目(10676019)
国家高技术发展计划项目
文摘
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。
关键词
dkdp
晶体
损伤阈值
晶体生长
惯性约束聚变
Keywords
dkdp crystat
laser damage threshold
crystal growth
ICF
分类号
O734 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值
孙绍涛
季来林
王正平
牟晓明
孙洵
许心光
史崇德
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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