第五代LDMOS工艺将提高W-CDMA基站的放大器效率

皇家菲利浦电子公司的第五代横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺技术将使得宽带CDMA(W-CDMA)基站能够突破RF功率放大器输出的30％效率壁垒。这项成果比目前采用的CDMA工艺所得到的基站放大器效率高出4％。W-CDMA基站使用上述工艺技术．RF功率放大器的功耗可减小15％以上。

英飞凌展示下一代LDMOS工艺

英飞凌近日展示了下一代LDMOS工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF（射频）晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25％。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。

飞思卡尔凭借第二代Airfast功率放大器解决方案扩大RF技术的优势

RF功率行业的解决方案供应商飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备（包括GSM／UMTS、CDMA／W－CDMA、LTE和TD－LTE应用）提供了全新级别的性能。飞思卡尔最新的Airfast系列RF功率解决方案基于成功且具备卓越性能的上一代产品，包含了28V独立和单级功率放大器。在充分利用并增强了第一代Airfast电路、模具、匹配网络和封装技术的基础上，飞思卡尔凭借新一代Airfast技术（包括推出的RF功率LDMOS部件，从而在Doherty配置中提高50％的效率）实现了业内的又一里程碑。此外，第二代Airfast功率放大器还扩展了其产品组合以包括两级集成式电路，从而将多个增益级合并到一个封装中；并添加了全新的基于氮化镓（GaN）的服务和48VLDMOS工艺技术。

工业设备变频器用隔离型电源控制IC

＂BD7F系列＂是非常适用于必须在严酷环境下长时间连续运行的工业设备的隔离型电源控制IC。本系列充分运用功率元件最尖端的BiCDMOS工艺,并融入ROHM的模拟设计技术优势,可检测从1次侧到2次侧的电压、电流。因此,不再需要以往检测2次侧电压、电流所需的光电耦合器或变压器的3次绕组以及相关配件,使部件数量减少约一半,不仅可实现系统的小型化,还可更省电、可靠性更高。

车载用新LDO系列

BD4xxMx系列”实现具备不同输出电压和输出电流、从适用严苛环境的功率封装到缩减面积的小型封装的产品阵容，是面向所有汽车电子部位开发的LDO。通过采用0．35μm的BiC—DMOS工艺，ROHM利用多年积累的模拟设计技术，实现输入耐压达45V适用各种车载应用的高可靠性，而且实现消耗电流在无负载时不到一般产品的一半、有负载时比一般产品更稳定，非常有助干汽车的节能化。

思卡尔联袂Hatris合作电视广播芯片

Harris公司与飞思卡尔半导体公司（Freescale）日前共同宣布了二者在广播领域进行一项芯片交易。根据该计划，Harris生产的新型地面电视广播发射器中，将集成飞思卡尔UHF频段的横向扩散MOS（LDMOS）技术。飞思卡尔最新的LDMOS工艺提供了UHF频段的功率级别，进而可以用于模拟及数字电视广播。Harris广播通信部门的总裁TimThorsteinson在一份声明中称，

零电压开关(ZVS)谐振变换器控制器TEA1610

TEA1610是飞利浦半导体公司采用DMOS工艺生产的高压单片IC,是专门为高压电源、监视器和TV电源设计的一种零电压开关(ZVS)谐振变换器控制器。TEA1610只需外加很少量的外部元件,即可组成高性能ZVC谐振变换器。

半导体制造业的新亮点——独树一帜的上海新进

就在业界人士几乎众口一词,对世界半导体市场一致看好,认为已经触底回升,作着将要达到多少多少百分点的增长幅度的乐观预测和美好憧憬时,它却又一次陷入了徘徊,让人好一番无奈。然而,位于上海漕河泾新兴技术开发区的上海新进半导体制造有限公司,却速度不减、几乎不受任何影响地快步发展,成为半导体制造业的一个新亮点,引起了业界人士的极大关注。

一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路

设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路。提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载能力的影响。该斜坡补偿电路结构简单,易于实现,已在基于0.5μm双极型CMOS DMOS (BCD)工艺设计的电流模降压型DC-DC变换器中得到了验证。测试结果表明,该DC-DC变换器在不同占空比下可稳定工作,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC变换器面积为2.2 mm×2.2 mm,其中斜坡补偿电路面积仅为0.2 mm×0.3 mm。

应用于DC-DC转换器的电流采样电路

设计了一种应用于DC-DC转换器的电流采样电路。提出了一种新型的电感等效直流电阻(DCR)采样方法,利用电感自身的DCR实现电流的采样与限流功能,节省了采样电阻,提高了DC-DC转换器的转换效率。同时电路将传统结构中的电流采样电路与脉冲宽度调制(PWM)比较器进行了合并,使系统结构更加简单。在基于0.35μm双极CMOS DMOS(BCD)工艺设计的DC-DC转换器中进行了验证,测试结果表明该DC-DC转换器输入电源电压为4.5~38 V,输出电压为0.6~12 V,负载电流最大可达5 A,转换效率可达95%,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC转换器面积为2.30 mm×2.30 mm,其中电流采样电路部分面积仅为0.30 mm×0.40 mm。

Si基单片集成850nm光接收芯片研究

设计并制备了一种Si基单片集成850nm光接收芯片,包括"P+/N-EPI/BN+"结构的光电探测器(PD)、跨阻前置放大电路及其后续处理电路。分析了PD的结构,并对其光谱响应及频率响应进行模拟,在2.0V偏压下,PD在850nm的响应度为0.131A/W,截止频率为400 MHz。采用0.5μm BCD(bipolar、CMOS和DMOS)工艺流片,光接收芯片面积约为900μm×1 100μm。测试结果表明,PD暗电流为pA量级,响应度为0.12A/W。光接收芯片在155 Mb/s速率及误码率(BER)小于10-9情况下,灵敏度为-12.0dBm;在622 Mb/s速率及BER小于10-9情况下,灵敏度为-10.0dBm,并能得到清晰的眼图。将该光接收芯片封装后接入光接收模块,进行点对点光互联实验,获得很好的光信号通路。

Ampleon推出SOT502 ISM频段小型射频功放晶体管可为射频能量应用提供600W功率

安谱隆半导体（Ampleon）近日宣布，推出600W的BLF0910H9LS600LD—MOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV50VLDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。