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半导体中电子自旋动力学的研究
1
作者
马红
金钻明
马国宏
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010年第7期17-22,共6页
利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体InP和Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随着激发光子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减...
利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体InP和Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随着激发光子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减小;但是随着载流子浓度的增加,自旋弛豫时间常数先增加到达最大值后再减小。这一实验结果和考虑库仑相互作用的全微观动力学自旋布洛赫方程的理论预言一致。
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关键词
半导体
电子自旋弛豫
时间分辨抽运探测
dp机制
原文传递
题名
半导体中电子自旋动力学的研究
1
作者
马红
金钻明
马国宏
机构
上海大学理学院物理系
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010年第7期17-22,共6页
基金
国家自然科学基金(10774099)
上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划
+1 种基金
上海市科学技术委员会(09530501100)
无线电物理上海市重点学科(S30105)资助课题
文摘
利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体InP和Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随着激发光子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减小;但是随着载流子浓度的增加,自旋弛豫时间常数先增加到达最大值后再减小。这一实验结果和考虑库仑相互作用的全微观动力学自旋布洛赫方程的理论预言一致。
关键词
半导体
电子自旋弛豫
时间分辨抽运探测
dp机制
Keywords
semiconductor
electron spin relaxation
time resolved pump-probe spectroscopy
dp
mechanism
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体中电子自旋动力学的研究
马红
金钻明
马国宏
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010
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