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新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
被引量:
2
1
作者
朱胜利
姚素英
+3 位作者
郑云光
李树荣
张世林
郭维廉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期573-578,共6页
给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- ...
给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算。
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关键词
光电负阻器件
光电双极晶体管
模拟
下载PDF
职称材料
题名
新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
被引量:
2
1
作者
朱胜利
姚素英
郑云光
李树荣
张世林
郭维廉
机构
天津大学电子信息工程学院微电子系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期573-578,共6页
文摘
给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算。
关键词
光电负阻器件
光电双极晶体管
模拟
Keywords
photo electronic negative resistance device
dplbt
simulation
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
朱胜利
姚素英
郑云光
李树荣
张世林
郭维廉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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