排水粉喷桩加固软土地基(2D工法)的试验研究

在分析常规粉喷桩加固软土地基存在问题的基础上,提出了排水粉喷桩复合地基加固软土地基的技术(2D工法)。该工法充分利用粉喷桩和排水板的优点,将二者有机结合,达到经济、有效加固软土地基的目的。文章介绍了该工法的基本原理和应用方法,通过详细介绍现场试验成果,论证了该工法的有效性和优越性,可在工程应用中推广。

砂井地基堆载沉降的PFC^(2D)模拟

砂井是利用土的排水固结原理来处理软弱地基的代表性施工技术。针对现有的软基沉降计算和预测方法存在的不足,利用离散单元法中二维颗粒元法PFC2D建立了砂井二维模型,对砂井地基堆载沉降过程进行二维离散元仿真模拟。采用由2～7个不同组合方式的簇单元来体现软基的孔隙率,改进了PFC2D中的水位降深模型,分析了软基沉降过程中水位的变化规律。模拟与现场实测结果的对比表明:模拟沉降值与实测值基本吻合。

基于HYDRUS-2D模拟排水暗管布设参数对土壤水盐运移的影响

为探究排水暗管布设参数对土壤水盐运移的影响,以中国天津滨海新区为研究区域,选定典型试验区域进行现场试验,利用试验数据率定验证了HYDRUS-2D的模拟效果,并运用验证后的模型参数模拟了不同暗管布设参数下的水盐运移。模拟结果表明HYDRUS-2D能够较好地模拟暗管排水条件下土壤的水盐动态。当保持暗管埋深不变时,暗管间距越大淋洗之后土壤含水率与含盐量越高;当保持暗管间距不变时,暗管埋深越大淋洗之后土壤含水率与含盐量越低。在12种模拟暗管模拟情景中,最大暗管埋深140 cm与最小暗管间距300 cm的组合参数下土壤剖面含盐量区间为最低值0.47~7.81 g/kg。因此,当暗管技术运用于盐碱地的改良时,应尽量减小暗管布设间距或增大暗管的布设深度以提高淋洗效果。

基于HYDRUS-2D模拟暗管排水条件下分区淋洗对土壤盐分分布的影响

为探究暗管排水条件下分区淋洗对土壤盐分分布的影响,以沿海盐碱地区为研究区域,选定典型试验地进行现场试验,利用现场试验数据率定了HYDRUS-2D模型参数并验证了模拟暗管排水的准确性,运用验证后的模型模拟了不同分区淋洗情况下的土壤盐分分布.模拟结果表明:HYDRUS-2D能够较好地模拟暗管排水条件下的土壤盐分分布.在暗管排水条件下,非分区淋洗土壤盐分分布均匀性较差,利用分区淋洗可以极大的提高土壤盐分淋洗的均匀性,在5种模拟情景中,F4模拟情景的土壤盐分淋洗均匀性最好,100cm土层的最大与最小含盐量差值仅0.79g/kg。

塑料排水板处理地基固结特性研究

目前塑料排水板(Prefabricated Vertical Drains,PVD)处理地基的固结计算均采用传统的砂井等效法,其等效直径可通过较多计算式得到,如周长等效法、周长折减0.75倍等效法(《海堤工程设计规范》(GB/T 51015—2014))等,但目前还没有形成统一的认识。基于等应变假设,类比于砂井地基固结理论,重新推导了排水板地基固结解析解,并通过ADINA有限元软件验证其合理性。然后采用有限元法对排水板地基固结的二维(2D)模型(即排水板渗透系数kw→+∞时)进行研究,认为在2D固结模型下Long和Covo(1994)的砂井等效法与有限元计算成果较接近,但仍存在一定偏差。最后,给出了2D固结模型下精度更高的等效直径计算式。该研究对排水板处理地基固结有参考作用。

具有垂直漏极场板的GaN HEMT器件结构设计

设计并研究了一种带有由表面漏极场板和垂直漏极场板组成的复合漏极场板的GaN HEMT器件结构。表面漏极场板能在栅漏之间引出新的表面电场峰值从而进一步提高表面电场的分布,而垂直漏极场板通过在体内引入漏极侧纵向电场峰值也能提高栅漏间的表面电场分布,如再结合表面漏极场板就能在二维方向上实现对器件漏电极区域附近电场的调制作用。采用仿真软件Sentaurus TCAD进行仿真和优化,结果表明:在器件栅漏间距为6μm的条件下,通过添加长度为0.5μm的栅极场板、0.2μm的表面漏极场板和1.8μm的垂直漏极场板以及长度为1.7μm、厚度为0.1μm、距离栅电极为0.1μm、掺杂浓度为5×1017 cm-3的P型GaN埋层,器件的击穿电压最大值能达到1 531 V。

Modeling the drain current and its equation parameters for lightly doped symmetrical double-gate MOSFETs

A 2D model for the potential distribution in silicon film is derived for a symmetrical double gate MOS- FET in weak inversion. This 2D potential distribution model is used to analytically derive an expression for the subthreshold slope and threshold voltage. A drain current model for lightly doped symmetrical DG MOSFETs is then presented by considering weak and strong inversion regions including short channel effects, series source to drain resistance and channel length modulation parameters. These derived models are compared with the simulation results of the SILVACO （Atlas） tool for different channel lengths and silicon film thicknesses. Lastly, the effect of the fixed oxide charge on the drain current model has been studied through simulation. It is observed that the obtained analytical models of syrnmetrical double gate MOSFETs are in good agreement with the simulated results for a channel length to silicon film thickness ratio greater than or equal to 2.