基于miR-665/DRAM1信号介导的自噬探讨补阳还五汤延缓血管衰老的作用

目的研究补阳还五汤对血管衰老的延缓作用,探讨其机制是否与microRNA-665(miR-665)/DNA损伤调节自噬调控因子1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1,DRAM1)信号介导的自噬有关。方法将自然衰老雄性SD大鼠随机分为衰老组,补阳还五汤低、中、高(9.25、18.5、37.0 g·kg^(-1))剂量组和白藜芦醇组(80 mg·kg^(-1)),同时设立年轻组。分离胸主动脉,ELISA法测定血管组织衰老相关β-半乳糖苷酶(Senescence associatedβ-galactosidase,SA-β-Gal)活性和晚期糖基化终末产物(Advanced glycation end products,AGEs)水平;HE、Masson和EVG染色观察血管组织形态结构;qPCR检测血管组织miR-665表达;生物信息学分析和双荧光素酶报告基因实验验证miR-665与DRAM1靶向关系;透射电镜观察血管内自噬小体;Western blot法检测血管组织p16、DRAM1蛋白及自噬相关蛋白LC3、Beclin1和p62的表达;免疫组织化学法检测血管组织DRAM1的蛋白表达。结果与年轻组相比,衰老组大鼠血管中SA-β-Gal活性、AGEs水平和p16蛋白表达增加(P<0.01);血管组织排列紊乱,中膜增厚,胶原纤维增加,弹力纤维出现断裂、紊乱;miR-665基因表达上调(P<0.01);自噬小体数量减少,Beclin1和LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达降低(P<0.01),p62蛋白表达升高(P<0.01);DRAM1蛋白表达降低(P<0.01)。与衰老组相比,补阳还五汤和白藜芦醇干预能够降低衰老大鼠血管中SA-β-Gal活性(P<0.01)、AGEs水平和p16蛋白表达(P<0.05,P<0.01);改善血管形态和弹力纤维结构,降低血管组织胶原纤维含量。高剂量补阳还五汤明显下调miR-665基因表达(P<0.01),增加血管内自噬小体数量;不同剂量补阳还五汤明显上调Beclin1蛋白表达(P<0.05,P<0.01),中剂量和高剂量补阳还五汤显著上调LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达(P<0.01),下调p62蛋白表达(P<0.01);高剂量补阳还五汤明显上调DRAM1蛋白表达(P<0.05)。生物信息学分析显示,miR-665与DRAM1基因序列存在特异性互补结合位点,双荧光素酶报告实验证实miR-665靶向DRAM1基因并负调控DRAM1蛋白表达。结论补阳还五汤可能通过靶向抑制miR-665促进DRAM1蛋白表达,进而促进血管自噬,延缓血管衰老。

右美托咪定预处理通过XIST/miR-125a/DRAM2轴预防大鼠心肌缺血再灌注损伤

目的探讨右美托咪定(dexmedetomidine,Dex)预处理通过XIST/miR-125a/DRAM2轴对大鼠心肌缺血再灌注损伤(myocardical ischemia-reperfusion injury,MI/RI)的影响。方法体内实验将45只大鼠随机分为假手术组、MI/RI组、Dex组;采用结扎冠状动脉左前降支法建立MI/RI大鼠模型;Dex组缺血前给予静脉注射5μg/kg Dex预处理;体外实验以H9C2心肌细胞为研究对象,分为空白组、H/R组、Dex组、Dex+pcDNA3.1 NC组、Dex+pcDNA3.1 XIST组;通过缺氧/复氧(hypoxia/reoxygenation,H/R)构建MI/RI体外细胞模型;通过qRT-PCR技术检测体内外实验各组中XIST、miR-125a、DRAM2的mRNA表达水平;通过免疫印迹技术检测体内外实验各组中DRAM2的蛋白表达水平;通过HE染色检测大鼠心肌组织病理学变化和心肌梗死面积;通过ELISA技术检测各组大鼠血清中肌酸激酶同工酶(creatine kinase isoenzyme,CK-MB)、肌钙蛋白I(cTnI)含量;通过丙二醛(malondialdehyde,MDA)、超氧化物歧化酶(superoxide dismutase,SOD)检测试剂盒考察细胞上清液中MDA和SOD的浓度;通过双荧光素酶报告基因系统考察XIST、miR-125a的靶向关系。结果在体内实验中,与假手术组相比,MI/RI组梗死面积、CK-MB、cTnI含量、XIST、DRAM2表达均显著上调(P<0.05),而miR-125a的显著下调(P<0.05);此外,与MI/RI组相比,Dex组梗死面积、CK-MB、cTnI含量、XIST、DRAM2表达均显著下调(P<0.05),miR-125a表达显著上调(P<0.05);在体外实验中,与对照组相比,H/R组MDA含量、细胞凋亡率、XIST、DRAM2表达均显著上调(P<0.05),SOD含量、miR-125a表达均显著下调(P<0.05);与H/R组相比,Dex组MDA含量、细胞凋亡率、XIST、DRAM2表达均显著下调(P<0.05),SOD含量、miR-125a表达均显著上调(P<0.05);过表达XIST逆转了Dex对MIRI体外细胞模型的保护作用(P<0.05)。结论Dex预处理可以改善MIRI大鼠症状,抑制心肌细胞氧化应激损伤及细胞凋亡,可能与调控XIST/miR-125a/DRAM2轴有关。

Raspberry Pi的DRAM PUF密钥生成系统研究

介绍了基于树莓派B+硬件平台实现DRAM PUF密钥发生系统的研究与设计。系统从嵌入式设备广泛使用的动态随机存储器中提取带有自身硬件指纹的物理不可克隆函数,通过模糊提取算法和Hash算法消除由于环境噪声及老化效应带来的错误信息,稳定生成128位DRAM PUF安全密钥。该系统生成的DRAM PUF安全密钥可靠性高达99%,唯一性为48.44%,均匀性为50%,并且密钥的信息熵值为1.0。

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

动态随机存取存储器(DRAM)是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)·这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。

一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器

为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。

基于DRAM的水质模拟不确定性分析和风险决策

将点源作为未知参数,结合一种新的马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法——延迟拒绝适应性Metropolis算法(DRAM),对钱塘江支流东阳江许村至义东桥河段的化学需氧量、氨氮、饱和溶解氧等3种指标的水质模型进行了贝叶斯参数估计.DRAM算法兼有延迟拒绝算法和适应性Metropolis算法的优点,且稳定收敛速度更快.基于抽样得到的马尔科夫链,对参数和模型误差项的后验分布进行了量化,并实现了点源的不确定性反演.用这个不确定性模型对污染物质量浓度的后验分布进行模拟,表现了良好的拟合效果.基于马尔科夫链,可对各类情景(如不同的水温、流量或点源排放情况)下的污染物超标风险进行直观的分析和预测,也易于实现敏感性分析.研究结果能帮助管理者制定不同水期的减排和调水风险决策,为钱塘江流域的水污染风险管理提供支持.

利用FPGA实现SDRAM控制器的设计

介绍了SDRAM的工作原理和使用方法。以一个数据通信中实际使用的SDRAM控制器为例,设计了用可编程逻辑器件(FPGA)实现SDRAM控制器的方法,给出了具体实现时需要注意的地方。

一种使用FPGA设计的DRAM控制器

本文比较了设计ＤＲＡＭ控制器的几种方法，指出使用ＦＰＧＡ设计ＤＲＡＭ控制器的优点。并给出一个设计实例，结合其数据流特点。详细描述了使用ＦＰＧＡ设计ＤＲＡＭ控制器的方法。

MiR-199a-5p通过靶向DRAM1调控急性髓系白血病对阿柔比星的敏感性

目的:比较miR-199a-5p在急性髓系白血病(AML)耐药细胞株K562/ADM以及敏感细胞株K562中的表达,研究其对AML耐药的调控效应并探索其机制。方法:采用MTT法检测阿柔比星(ADM)对K562/ADM和K562细胞的生长抑制率并计算IC50。采用实时荧光定量RT-PCR的方法检测2种细胞株(K562/ADM和K562)以及患者骨髓标本(复发难治AML患者和化疗后完全缓解AML患者)中miR-199a-5p的表达。通过细胞转染的方法在K562/ADM细胞中转入miR-199a-5p mimic使其表达上调,在K562细胞中转入miR-199a-5p inhibitor使其表达下调,采用CCK-8法检测ADM对2种细胞的增殖抑制率,实时荧光定量PCR和Western blot法分别检测转染后2种细胞中DRAM1基因和蛋白的表达。双荧光素酶报告基因实验检测miR-199a-5p与DRAM13′UTR是否存在直接结合位点。采用siRNA的方法下调K562/ADM细胞中DRAM1表达,CCK-8法检测ADM对细胞增殖抑制率的变化。结果:ADM对K562/ADM和K562细胞的IC50分别为146.14±0.079和3.08±0.056μg/ml。miR-199a-5p在复发难治AML患者骨髓中的表达明显低于完全缓解患者,在K562/ADM细胞中的表达明显低于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中miR-199a-5p表达上调时,ADM对细胞的增殖抑制率升高,DRAM1基因和蛋白表达明显下降。当K562细胞中miR-199a-5p表达下调时,ADM对细胞的增殖抑制率明显下降,DRAM1基因和蛋白表达明显升高(P<0.05)。双荧光素酶报告基因实验显示,miR-199a-5p与DRAM1的3′UTR区存在直接结合位点。K562/ADM细胞中DRAM1在基因和蛋白水平表达均明显高于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中DRAM1基因表达下调后,细胞对ADM的敏感性显著升高(P<0.05)。结论:miR-199a-5p在耐药白血病细胞中呈低表达。miR-199a-5p表达能够调控AML细胞对ADM的敏感性。DRAM1是miR-199a-5p调控AML耐药的功能性靶基因。

应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展

随着 DRAMs 存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的 DRAMs 技术的发展。在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注。介绍了随 DRAMs 的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题。

基于傅里叶变换红外反射谱的DRAM深沟槽结构测量系统研究

提出了一种基于傅里叶变换红外(FTIR)反射谱的动态随机存储器(DRAM)深沟槽结构测量方法与系统。给出了测量原理与方法,设计了测量系统光路。通过可变光阑调节探测光斑大小并选择合适的入射角,消除了背面杂散光反射干扰的影响,大大提高了信噪比。对DRAM深沟槽样品进行反射光谱图测试与实验研究,表明所述方法与系统能够提取出纳米级精度的深沟槽参数。该技术提供了一种无接触、非破坏、快速、低成本和高精度的深沟槽结构测量新途径,在集成电路制造过程中的在线监测与工艺控制方面具有广阔的应用前景。

基于 ispLSI 器件的 DRAM 控制器的设计(一)

对空间应用的大容量固态图像存贮器联试结果进行了分析。为提高系统的集成度和抗干扰性，我们采用了ｉｓｐＬＳＩ器件对该系统的ＤＲＡＭ控制器进行改进设计。详细分析了基于ｉｓｐＬＳＩ器件，利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓｔｅｍ软件进行设计的过程，并给出了微机上的仿真结果。

大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述

动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字"0"或"1".由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元.刷新操作会阻碍正常访存的执行,造成性能上的开销;同时刷新操作会消耗额外的功耗,带来功耗上的开销.刷新的开销与DRAM密度相关:在过去,当DRAM密度较小时,需要刷新的存储单元数较少,刷新开销很小,并未引起关注;但是,随着摩尔定律的发展,DRAM密度越来越大,目前已发展到千兆比特级别,其刷新周期并没有改善,单位时间内需要刷新的存储单元数越来越多,从而使刷新带来的性能和功耗开销越来越严重.刷新问题目前得到了工业界和学术界的广泛关注.首先介绍了目前DRAM的刷新方式和开销,以及工业界已经实现的一些改进;然后把工业界和学术界提出的众多优化方法分为"减轻刷新操作对访存的阻塞"和"减少不必要的刷新操作"两大类,分别进行了分析和总结;最后给出了关于智能刷新管理的总结和展望.

基于SoC的嵌入式DRAM存储器内建自测试设计

内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM存储器BIST设计,所设计的测试电路可以复用状态机的状态,利用循环移位寄存器(Cyclic Shift Register,CSR)产生操作命令,利用地址产生电路产生所需地址;通过对3种BIST电路支持的算法,全速测试,面积开销3个方面的比较,表明提出的嵌入式DRAM存储器BIST设计在测试时间,测试故障覆盖率和测试面积开销等各方面都取得了较好的性能。

面向高性能数值计算的并行计算模型DRAM(h)

提出了一个基于存储层次的新并行计算模型DRAM (h) ,并在该模型下对两个经典并行数值计算算法的不同实现形式 :四种形式并行下三角方程求解 (PTRS)和六种形式无列选主元并行LU分解 (PLU) ,进行了分析 .模型分析表明 ,具有近乎相同时间和空间复杂性的同一算法不同实现形式 ,在该模型下会有完全不同的存储复杂度 .作者在日立公司SR2 2 0 1MPP并行机、曙光 3 0 0 0超级服务器和中国科学院科学与工程计算国家重点实验室(LSEC)的 12 8节点LinuxCluster等三种并行计算平台上对模型分析结果进行了实验验证 .结果表明 ,该模型分析在绝大多数情况下都能较好地与不同实验平台上的实验结果吻合 .个别出现偏差的分析结果 ,在根据计算平台的存储层次特点修改模型分析的假定后 ,也能够进行解释 .这说明了该模型对不同形式的算法实现进行存储访问模式区分的有效性 .对在计算模型中加入指令 /线程级并行的可行性和方法的研究是下一步的工作 .

敲减SET8表达通过上调p53/DRAM1信号通路促进大鼠血管平滑肌细胞自噬和凋亡

目的:探讨赖氨酸甲基转移酶SET8(SET domain-containing protein 8)低表达通过p53/DRAM1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1)通路调控大鼠血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)自噬和凋亡的作用及机制。方法:体外原代培养大鼠VSMCs,敲减SET8表达,将细胞分为3组:正常组、空载体对照组和SET8-shRNA组。流式细胞术检测细胞凋亡,MTT法检测细胞活力,Western blot检测SET8、p53、DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。过表达DRAM1,将大鼠VSMCs分为3组:正常组、空载体对照组和DRAM1组。检测各组细胞活力,凋亡及DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。敲减SET8表达的同时敲减p53或DRAM1表达,观察LC3、Bax和Bcl-2的蛋白表达情况。结果:(1)敲减SET8表达后,大鼠VSMCs凋亡显著增多,活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,敲减SET8表达后,SET8和Bcl-2表达显著降低(P<0.05),p53、DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05)。(2)过表达DRAM1后,大鼠VSMCs凋亡显著增多(P<0.05),活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,过表达DRAM1后,DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05),Bcl-2表达显著降低(P<0.05)。(3)敲减p53或DRAM1表达后,LC3-II和Bax表达降低,Bcl-2表达升高(P<0.05)。结论:敲减SET8表达可促进大鼠血管平滑肌细胞发生自噬和凋亡,可能机制是通过上调p53和DRAM1表达,促进自噬蛋白LC3-II及凋亡蛋白Bax表达实现的。

基于 ispLSI 器件的 DRAM 控制器的设计(二)

以ＤＲＡＭ控制器的设计为例，介绍了在系统可编程技术。基于美国Ｌａｔｉｃｅ半导体公司的ｉｓｐＬＳＩ器件，提出了ＤＲＡＭ控制器的设计方法，并利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓ－ｔｅｍ软件对系统进行了仿真。

基于FPGA技术的DRAM分时存取方法

介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求,提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法,讨论了该方法的实现机制,结合具体的项目设计,给出了分时存取方法的关键时序,避开了复杂的DRAM控制器,节省了设计资源,简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。

饥饿诱导DRAM介导的自噬与HepG2和Hep3B细胞凋亡的关系

目的探讨饥饿诱导损伤调节自噬调控基因(DRAM)介导的自噬在HepG2细胞和Hep3B细胞凋亡中的作用。方法 HepG2细胞和Hep3B细胞经饥饿处理后,观察DRAM的表达和自噬的发生;利用DRAM小干扰RNA(siRNA)阻断DRAM,观察饥饿诱导的自噬水平;采用Calcein AM/PI染色,观察DRAM siRNA对饥饿引起的细胞凋亡的影响。结果经饥饿处理后12、24、36h,HepG2细胞和Hep3B细胞内DRAMmRNA均显著高于处理前(P﹤0.001),细胞凋亡明显增加(P﹤0.01),但两种细胞系间细胞凋亡计数的差异无统计学意义。DRAM siRNA阻断DRAM的功能后,HepG2和Hep3B细胞自噬减少,但对饥饿引起的细胞凋亡没有明显影响。结论 DRAM参与了饥饿诱导的自噬,可能不是饥饿引起肝癌细胞凋亡的机制。