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兆位级DRAM掩模版的检测技术
1
作者
邓君龙
胡道媛
凌静珍
《微电子技术》
1998年第1期31-35,共5页
针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求,从而建立兆位级掩模版检测程序,以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。
关键词
定义缺陷
CD尺寸
dram掩模版
缺陷检测技术
下载PDF
职称材料
题名
兆位级DRAM掩模版的检测技术
1
作者
邓君龙
胡道媛
凌静珍
机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《微电子技术》
1998年第1期31-35,共5页
文摘
针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求,从而建立兆位级掩模版检测程序,以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。
关键词
定义缺陷
CD尺寸
dram掩模版
缺陷检测技术
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
兆位级DRAM掩模版的检测技术
邓君龙
胡道媛
凌静珍
《微电子技术》
1998
0
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