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单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用
1
作者
冯涓
赵振华
《国外电子元器件》
2006年第12期49-51,共3页
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及...
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序。
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关键词
单芯片
非易失性存储器
ds3070w
实时时钟
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职称材料
题名
单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用
1
作者
冯涓
赵振华
机构
武汉工程大学电气信息学院
出处
《国外电子元器件》
2006年第12期49-51,共3页
文摘
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序。
关键词
单芯片
非易失性存储器
ds3070w
实时时钟
Keywords
single-chip
NV SRAM
ds3070w
real-time clock
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
出处
发文年
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1
单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用
冯涓
赵振华
《国外电子元器件》
2006
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