电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.

BBK模型中非一阶效应和交换效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对低能、共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应和交换效应进行了分析和探讨.发现该模型中末态三体间的屏蔽包含了极强的非一阶效应信息.

70.6eV电子入射电离氦原子的理论研究

在入射能为70.6eV,两个出射电子等能分享几何条件下,分别用3C模型和DS3C模型对散射平面内以及垂直平面内电子离化氦原子的三重微分散射截面进行了计算,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了各种效应对截面的贡献.结果表明:当散射角较小时,末态各种屏蔽效应对散射平面内和垂直平面内截面幅度以及角分布均存在较强影响;交换效应对截面的贡献始终是不可忽略的.

散射电子能量为500eV下氦原子(e,2e)反应中微分截面的研究

用3C模型和DS3C模型计算了散射电子能量为500eV特殊几何条件下电子离化氦原子的三重微分散射截面,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了屏蔽效应和交换效应对截面的贡献。结果表明,末态屏蔽效应以及交换效应对三重微分散射截面的幅度和角分布均存在一定影响,并且当入射能较高时这种影响更加显著。

垂直平面内氦原子(e,2e)反应中屏蔽效应的理论研究

运用3C模型和DS3C模型计算了入射能为70.6eV几何条件下垂直平面内电子离化氦原子的三重微分散射截面,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了屏蔽效应对截面的贡献。结果表明:当散射角较大、敲出电子能量较低时,末态屏蔽效应对垂直平面内三重微分散射截面的幅度和角分布均存在较强影响。

氢原子(e,2e)反应中BBK模型非一阶效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能分别为54.4eV,150eV,250eV时共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨.发现该模型中的末态三体间的屏蔽包含了极强的非一阶效应的信息.

屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5,36.5,40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面,并把计算结果与实验结果进行了比较,对屏蔽效应进行了分析.通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面,利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5,36.5,40.7,50 eV时氦原子的单微分散射截面,并把计算结果与实验结果进行了比较.对截面的结构进行了分析,并系统研究了交换效应对截面的贡献.

氢原子(e,2e)反应中二重微分截面的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型,计算了入射能为15.6 e V,17.6 eV,25 eV,40 eV的电子入射电离氢原子的二重微分散射截面.本文把计算结果与测量的实验结果进行比较,分析了截面的结构,系统研究了交换效应对截面的贡献.

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算,把计算结果与实验测量结果进行了比较,对截面的结构进行了分析,并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.

垂直入射几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在电子垂直入射几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行比较,对截面的结构进行了分析,并对交换效应进行了系统的研究.