模块化多电平换流器子模块对地电压分析及其dv/dt抑制方法

模块化多电平换流器在开关过程中,子模块对地电压变化产生的dv/dt对杂散电容充放电形成共模电流,造成严重的传导电磁干扰。文中推导子模块对地电压跳变值与桥臂中子模块位置的关系,分析不同跳变值出现的概率,指出某些位置会出现数倍电容电压(UC)的跳变。为将所有位置子模块的最大对地电压跳变抑制为UC,文中提出一种抑制方法,该方法基于上一控制周期的子模块投切状态、桥臂电流方向、电容电压及当前控制周期需要投入的子模块个数,来确定当前周期的子模块投切状态,并限制两个周期之间子模块投切状态改变的数目为一个或一对,从而达到抑制对地电压跳变的目的。最后通过实验验证子模块对地电压跳变规律及所提方法的有效性。

三星推出适用于移动设备的双电压内存卡

半导体存储技术厂商三星电子,宣布推出适用于数码相机、手机等下一代多媒体移动设备的更低电压需求的全线DV-MMC。 1.8V和3.3V的双电压功能可使移动设备在20mA的低电流下读写数据,比通常需要的80mA电流降低了70％,从而延长了电池使用寿命。

存储器

'远程'非接触性存储器意法半导体(ST)推出一个名为LR164的'远程'非接触性存储器,它是一个64位一次性可编程(OTP)用户存储器,并附有一个64位只读唯一标识码(UID)。这个新器件具有可靠的 CMOS 制造技术,内嵌 EPROM 存储器。