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DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计
1
作者
刘珠明
顾文琪
李艳秋
《微细加工技术》
2004年第1期23-27,46,共6页
基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高。采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布。高精度的场分布有利于高级像差。为了使系统的总体像差最小,结合具体...
基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高。采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布。高精度的场分布有利于高级像差。为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差。动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2nm;偏转场大小为1mm×1mm时,束斑分辨率约为29.8nm。结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求。
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关键词
dy-2001a型
纳米级电子束曝光机
静电偏转器
设计
二阶有限元
光刻技术
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职称材料
题名
DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计
1
作者
刘珠明
顾文琪
李艳秋
机构
中国科学院电工研究所
出处
《微细加工技术》
2004年第1期23-27,46,共6页
基金
中科院知识创新工程重大项目资助(KGCX1-Y-8)
文摘
基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高。采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布。高精度的场分布有利于高级像差。为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差。动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2nm;偏转场大小为1mm×1mm时,束斑分辨率约为29.8nm。结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求。
关键词
dy-2001a型
纳米级电子束曝光机
静电偏转器
设计
二阶有限元
光刻技术
Keywords
electrostatic deflector
second-order finite element
optimization
aberrations
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计
刘珠明
顾文琪
李艳秋
《微细加工技术》
2004
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