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深U型槽的反应离子刻蚀技术 被引量：2
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作者 彭忠献 王方 +1 位作者 李荫波 黄敝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期1-3,共3页
在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽的刻蚀,并成功地刻出了2μm 宽、6μm 深的U 型槽.
关键词 离子刻蚀 VLSI u型槽
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