从头算分子动力学研究H_(2)在缺陷石墨烯负载的Cu_(19)团簇上解离吸附

本文运用从头算分子动力学方法研究了H_(2)在Cu_(19)团簇和缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇上的解离吸附.分子水平上的动力学轨迹表明,氢气在Cu_(19)上解离吸附的最佳位点是桥位-空位,两个氢原子吸附在Cu原子两边的桥位和空位上,吸附能为-0.74 eV.在缺陷石墨烯负载的Cu_(19)团簇上,两个氢原子的最佳吸附位置是吸附在两个空位上,吸附能为-1.27 eV.总的来说,缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇上的平均吸附能为-1.07 eV,比Cu_(19)团簇上的-0.58 eV多约84%,这表明缺陷石墨烯负载Cu_(19)簇上对于氢气的解离吸附能力大大增强.d带中心向费米能级靠近解释了为什么缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇吸附能力更强.积分晶体轨道哈密顿布居分析表明,与Cu_(19)团簇相比,在缺陷石墨烯支持的Cu_(19)簇上,氢原子与其键合的Cu原子之间更强的键相互作用导致了更大的吸附能.