GaAs光导开关瞬态光电导效应的研究

光导半导体开关自问世以来 ,以其优良的特性受到人们广泛的关注 ,其应用领域不断地拓展。本文建立了一个光导开关的瞬态响应模型 ,对 Ga As瞬态光电导效应进行了研究 ,重点研究了是光作用过程的 Dember效应和各种重要的复合机制对 Ga As光导开关光电导响应的影响。

片状多层结构卤化银外延乳剂的光物理性质及感光性能的研究

本文利用可控双注仪设计并制备了三种系列共二十种片状多层结构溴碘化银乳剂及其外延体。用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）和电镜验证所设计的碘离子多层分布和氯化银外延体的位置，研究了它们的光物理性质和感光性能，发现外延ＡｇＣｌ对主体微晶性质的影响随层次结构和外延位置不同有很大的变化。若主体微晶结构合理，光电子利用效率已经较高，电子与空穴分离好，外延后其乳剂的感光度提高幅度反而不大。相反，若主体微晶的结构不合理，则外延可能导致两种结果：或增加潜影形成效率，提高感光度；或造成潜影分散，降低感光度。

氧化钒薄膜光伏效应机理分析

氧化钒薄膜是非致冷红外焦平面探测器的重要组成部分,光电特性一直是国内外的研究热点。用反应磁控溅射方法在K9玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,并在特定条件下对其进行了退火处理。结果发现,在300℃下退火180s的氧化钒薄膜在可见光照射情况下呈现出了光伏效应,这说明光生载流子在氧化钒薄膜表层形成后得到了有效分离。该光伏特性为氧化钒薄膜在光电探测器中的应用拓展提供了有力的理论依据。

片状多层结构卤化银微晶的制备、结构和性能的研究Ⅰ

本文利用可控双注法制备了一系列片状多导层结构Ag(Br,I)微晶,用扫描透射电镜(STEM)与X射线能谱仪(EDS)对单个微晶进行了微区分析,结果表明碘离子在微晶中的分布正如所设计的那样呈层状分布。EDS分析结果表明,富碘层的碘离子向无碘层迁移,且富碘层的碘浓度愈高,迁移的趋势愈大。并用介电损耗Dember效应、表面显影和化学成熟等方法研究了片状多层结构微晶的结构与性能的关系。

超增感剂的几何位置对超增感过程的影响

本文通过溴化银单晶上的超增感体系的Dember效应测试以及相应实用乳剂体系的研究,观察到超增感作用与体系的Dember效应之间存在平行关系,并以此探讨了超增感荆发挥最佳作用时在溴化银面上增感染料与超增感剂的相对排列位置,实验结果表明,在所研究的超增感体系中超增感剂与溴化银直接接触时超增感作用最为有效。

基于超快激光技术的THz波产生和探测

主要介绍利用超快激光技术产生和探测THz波辐射。THz波探测方法包括电光取样和空气探测。电光取样利用光学电光效应,采用探测激光偏振态的改变得到THz电场时域波形,广泛应用在TDS系统中。空气探测方法利用激光在空气中的三阶非线性效应,可以测得THz时域波形,并且该方法没有晶体的限制,因此可以探测频谱较宽的THz脉冲。产生THz的方法主要包括光电导天线、光学Dember效应、光整流和激光等离子体。其中前三者受到材料本征声子的影响,产生的THz谱宽有一定限制。倾斜激光脉冲波前入射非线性晶体光整流可以产生很强的THz波。双色飞秒激光脉冲与空气等离子体作用,可以产生较强的宽谱THz辐射,并且其谱宽与激光脉冲宽度密切相关。

ZrTe_(5)的太赫兹辐射研究

为了研究层状ZrTe_(5)(五碲化锆)在飞秒脉冲激发下的超快瞬态太赫兹辐射,利用太赫兹时域反射系统对其进行了测试分析。通过分析层状ZrTe_(5)太赫兹电场幅度与飞秒激光泵浦功率及泵浦脉冲偏振关系,获得了层状ZrTe_(5)产生太赫兹辐射的主要机理。同时还对比了相同泵浦条件下层状ZrTe_(5)和本征GaAs(砷化镓)太赫兹辐射强度。研究表明,层状ZrTe_(5)具有带隙结构窄、吸收深度浅、光生电子剩余能量较大、载流子迁移率较高等优势,在太赫兹产生方面比传统半导体具有更好的性能。该研究可为发现高效、高度集成化太赫兹辐射源提供参考。

非均匀光照下的光生电势的一般方程

本文提出了一个包括ｐ＋ｎｎ＋结构的光生电势物理模型，并由此导出了光生电势的一般方程．该方程为二阶非齐次偏微分方程，它基于对光电流收集电极所在的受光表面层中的光生电势的分析来描写一般的光生电势行为．在三种光生电势发生的特定条件下，它可简化出结场光生电势、丹倍电势和横向光生电势（横向光电效应）的函数关系式．该方程统一了各种光生电势的行为机理．