半导体激光不同累积能量照射后牙本质的改变

目的:探讨临床应用半导体激光治疗牙本质过敏症的最佳参数值。方法:选择离体上下颌第一、二恒磨牙,用单面金刚砂片垂直于牙长轴在面牙尖下1.0mm和2.5mm二处切断,制成1.5mm厚的牙片15张。选用不同功率的激光照射牙本质片,每种功率激光分别照射180s、240s和300s。牙本质片经常规固定、包埋、切片、染色后,光学显微镜下观察牙本质的组织学变化。结果:不同功率的激光经不同照射时间照射牙本质片后,均可封闭牙本质小管。激光功率不变时,牙本质小管的封闭厚度随照射时间的增加而增加;照射时间相同时,牙本质小管的封闭厚度随激光功率的增加而增加,且具有显著性差异。在激光功率为0.5W时,个别样本在激光照射区域牙本质中心处有凹坑出现。结论:激光功率0.4W,照射时间300s条件下,牙本质小管封闭厚度较厚,且不出现凹坑现象,可作为半导体激光脱敏的最佳参考数值。