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亚微米半导体器件模拟方法的探索
被引量:
1
1
作者
王明网
魏同立
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第2期55-61,共7页
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况,阐述了漂移扩散模型(DDM)、流体动力学模型(HDM)、玻耳兹曼模型(BTM)、全量子模型(QTM)的各自适用范围,概括了玻耳兹曼的一些新解法,HDM,BTM适合于亚微米半...
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况,阐述了漂移扩散模型(DDM)、流体动力学模型(HDM)、玻耳兹曼模型(BTM)、全量子模型(QTM)的各自适用范围,概括了玻耳兹曼的一些新解法,HDM,BTM适合于亚微米半导体器件的模拟。
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关键词
cad
亚微米器件
半导体器件
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职称材料
题名
亚微米半导体器件模拟方法的探索
被引量:
1
1
作者
王明网
魏同立
机构
东南大学微电子中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第2期55-61,共7页
文摘
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况,阐述了漂移扩散模型(DDM)、流体动力学模型(HDM)、玻耳兹曼模型(BTM)、全量子模型(QTM)的各自适用范围,概括了玻耳兹曼的一些新解法,HDM,BTM适合于亚微米半导体器件的模拟。
关键词
cad
亚微米器件
半导体器件
Keywords
device simulation
,
ic cad
,
sub-μm device
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚微米半导体器件模拟方法的探索
王明网
魏同立
《微电子学》
CAS
CSCD
1995
1
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