6H-SiC反型层电子迁移率的Monte Carlo模拟

用单电子MonteCarlo方法对 6H SiC反型层的电子迁移率进行了模拟 ,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型 ,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性 .MonteCarlo模拟的结果表明 ,当表面有效横向电场高于 1.5× 10 5V/cm时 ,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用 ,而当有效横向电场小于该值时 ,沟道散射以库仑散射为主 .

Si亚微米MESFET的Monte Carlo法模拟

本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时ＳｉＭＥＳＦＥＴ的性能。

基于Monte Carlo模型的微型PLGA给药系统建模及仿真

多腔体的微型可降解高分子聚合物PLGA药物缓释系统是一种新型植入式给药微器件,其载体结构是结合药物释放的要求和高分子聚合物生物降解特性进行设计并利用MEMS工艺制备.为了解微型给药系统实际释药的性能,需要对其进行建模和仿真研究.基于体溶蚀的MonteCarlo溶蚀模型,建立了具有多腔体的微型PLGA给药载体的释药模型,并对腔体结构为圆形的微型给药系统进行了释药过程仿真.仿真结果表明本文建立的微系统释药模型可以较为准确的描述微系统的释药过程,仿真模型对进一步开发微型PLGA给药系统有重要的参考价值.

深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型

讨论了深亚微米半导体器件模拟的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系．

大型LTD装置功率源可靠性初步分析

产生脉冲电流约50 MA的大型LTD装置功率源由数十万个电容器、开关和触发器组成。规模庞大的功率源采用串联系统可靠性模型,其可靠度想要达到一个较高的水平,存在所要求的开关可靠度难以实现的情况。大型LTD装置功率源的主要故障模式为开关自击穿和触发器故障,开关自击穿将导致其所在的模块故障,而触发器一对多的触发方式,使其故障时引起更多的模块故障。在LTD装置输出性能满足要求的前提下,允许存在一定数量的模块故障,并且控制故障模块分布,是实现功率源高可靠度的关键。基于概念设计的大型LTD装置功率源构成框架,分别建立了在功率源、支路、分层上控制故障模块数量的可靠性模型。采用蒙特卡罗方法对该模型进行仿真计算,得出了在给定的功率源可靠度条件下开关和触发器需要达到的可靠度。为实现该可靠性模型,使故障模块不对其他部分产生影响,还对故障模块隔离技术进行了分析。

基于蒙特卡洛模拟法的并联划线装置划线轨迹的误差分析

提出了一种基于并联机构的划线装置。按运动学方程微分法和误差独立原理,建立单一影响因素下末端划线头的位置综合误差模型,并利用蒙特卡洛法对两种误差模型进行了模拟分析。结果表明:装置划线综合位置误差范围为0~7.5×10-3mm,其中,仅考虑杆长误差时,综合位置误差范围为0~4×10-4mm;仅考虑转动副间隙误差时,综合位置误差范围为6×10-5mm^9.5×10-5mm。划线综合位置误差受多个因素影响,但以驱动杆杆长误差影响较大,且并非简单地为各个因素的叠加;同时两种误差建模方法相结合的分析方法可全面系统地分析机构末端的综合误差。

复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。

基于蒙特卡洛的安稳装置可靠性分析

安全稳定控制装置对电力系统的可靠运行起着至关重要的作用,随着装置复杂度不断提高,传统的数值分析方法已不再适合解决该问题。以SCS-500E为例,利用蒙特卡洛法计算装置的故障概率,列举了稳控装置在实际运行中出现的故障,并对故障进行了分类。根据装置的结构与统计得到的故障数据建立装置模件失效模型,分析了装置内各个模件失效率的计算方法。最后通过算例仿真验证了计算结果与实际情况相符,证明了方法的正确性。

高精度星敏感器光学系统误差分析

在对影响星敏感器精度的误差源做出权重分析和比较的基础上,提出一种基于蒙特卡罗模拟的星敏感器精度误差分析方法,避免冗长和繁琐的理论推导,直观且系统地分析了星敏感器误差传播关系,建立星敏感器误差传播模型,为星敏感器的优化设计、标定补偿提供依据和准则,通过仿真验证误差传播模型及误差分析方法的准确性,为高精度星敏感器的设计制造提供重要基础和保证。