期刊文献+
共找到35篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Preparation and dielectric properties of porous silicon nitride ceramics 被引量:1
1
作者 李军奇 罗发 +1 位作者 朱冬梅 周万城 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B02期487-489,共3页
Porous silicon nitride ceramics with difference volume fractions of porosity from 34.1% to 59.2% were produced by adding different amount of the pore-forming agent into initial silicon nitride powder. The microwave di... Porous silicon nitride ceramics with difference volume fractions of porosity from 34.1% to 59.2% were produced by adding different amount of the pore-forming agent into initial silicon nitride powder. The microwave dielectric property of these ceramics at a frequency of 9.36 GHz was studied. The crystalline phases of the samples were determined by X-ray diffraction analysis. The influence of porosity on the dielectric properties was evaluated. The results show thatα-Si3N4 crystalline phase exists in all the samples while the main crystalline phase of the samples isβ-Si3N4, indicating that theα/βtransformation happens during the preparation of samples and the transformation is incomplete. There is a dense matrix containing large pores and cavities with needle-shaped and flakyβ-Si3N4 grains distributing. The dielectric constant of the ceramics reduces with the increase of porosity. 展开更多
关键词 氮化硅 多孔陶瓷 制备 介电性质 成孔剂
下载PDF
Studies on Dielectric Properties of Silicon Nitride at High Temperature 被引量:1
2
作者 Ting Zhang Shu-Ren Zhang +3 位作者 Meng-Qiang Wu Wei-Jun Sang Zheng-Ping Gao Zhong-Ping Li 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2007年第4期316-319,共4页
In this paper, the dielectric properties of silicon nitride are studied using the dielectric polarization theories. According to the developed dielectric models, the temperature dependence of dielectric constant and l... In this paper, the dielectric properties of silicon nitride are studied using the dielectric polarization theories. According to the developed dielectric models, the temperature dependence of dielectric constant and loss of silicon nitride is mainly analyzed. In addition, the impact of Li^+, K^+, Ca^2+, Al^3+ and Mg^2+ doping on the dielectric properties of silicon nitride are also estimated. 展开更多
关键词 dielectric properties impurity ion silicon nitride.
下载PDF
Dielectric Properties of Porous Reaction-boned Si_3N_4 Ceramics with Controlled Porosity and Pore Size 被引量:3
3
作者 Jie XU Dongmei ZHU Fa LUO Wancheng ZHOU Peng LI 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期207-210,共4页
This paper presents the microwave dielectric properties of reaction bonded porous silicon nitride ceramics with variant porosity and pore size, which were prepared by adding pore-forming agent grains into the silicon ... This paper presents the microwave dielectric properties of reaction bonded porous silicon nitride ceramics with variant porosity and pore size, which were prepared by adding pore-forming agent grains into the silicon powders. The experimental results show that the dielectric constant and the dielectric loss of the samples reduce evidently with increasing porosity in the sample. When the porosity is constant, the dielectric constant and the dielectric loss of the ceramics decrease visibly as the pore size increases. Among all the obtained samples, the minimum dielectric constant is about 2.4. 展开更多
关键词 Porous silicon nitride ceramics Reaction bonded dielectric properties RADOME
下载PDF
Effect of Diatomite Additive on the Mechanical and Dielectric Properties of Porous SiO2-Si3N4 Composite Ceramics
4
作者 油光磊 毕见强 +2 位作者 CHEN Yafei YIN Chonglong WANG Chang'an 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2016年第3期528-532,共5页
Porous SiO2-Si3N4 composite ceramics with high porosity and excellent mechanical properties were fabricated by pressureless-sintering at relatively low temperature of 1 500 ~C using diatomite as pore forming agent. Th... Porous SiO2-Si3N4 composite ceramics with high porosity and excellent mechanical properties were fabricated by pressureless-sintering at relatively low temperature of 1 500 ~C using diatomite as pore forming agent. The effects of diatomite on flexural strength, fracture toughness, shrinkage, porosity and phase transformation of the porous ceramics were investigated in detail. Compared with that of the ceramic without adding diatomite, the porosity of the ceramic with 10% diatomite is increased by about 27.4%, the flexural strength and fracture toughness reaches 78.04 MPa and 1.25 MPa.m1/2, respectively. As the porosity increases, the dielectric constant of porous SiO2-Si3N4 ceramic decreases obviously from 3.65 to 2.95. 展开更多
关键词 silicon nitride DIATOMITE POROSITY mechanical property dielectric constant
下载PDF
Structural and Electrical Characterization of Sintered Silicon Nitride Ceramic
5
作者 Imran Khan M. Zulfequar 《Materials Sciences and Applications》 2011年第7期738-747,共10页
The electrical conduction phenomena, dielectric response and microstructure have been discussed in sintered silicon nitride ceramics at different temperature and frequencies. Microstructure and phase of the sintered s... The electrical conduction phenomena, dielectric response and microstructure have been discussed in sintered silicon nitride ceramics at different temperature and frequencies. Microstructure and phase of the sintered samples was investigated by Scanning Electron Microscope (SEM) and X-ray diffractometer (XRD). The electrical conductivity, dielectric constant and dielectric loss increases exponentially with temperature greater than 600 K. The dielectric constant and loss have been measured in the frequency range 100 Hz to 1 MHz. The a.c. conduction studies in the audio frequency range 500 Hz to 1 MHz indicates that the conduction may be due to the electronic hopping mechanism. Silicon Nitride ceramics became dense after sintering. The effect of grain size and role of phase on electrical and dielectric properties have been discussed. These types of samples can be used as a high temperature semi conducting materials for device packaging. 展开更多
关键词 silicon nitride D.C. and A.C. CONDUCTIVITY dielectric and STRUCTURAL properties
下载PDF
Lightweight Si_(3)N_(4)@SiO_(2) ceramic foam for thermal insulation and electromagnetic wave transparency
6
作者 Zongwei Tong Xiangjie Yan +2 位作者 Yuexiang Wang Kexun Li Weihai Ma 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2024年第5期4298-4306,共9页
Increasing porosity is one of the most direct ways to improve the thermal insulation and dielectric properties of materials.Until now,many wet methods for preparing Si_(3)N_(4) ceramic foams usually face the problems ... Increasing porosity is one of the most direct ways to improve the thermal insulation and dielectric properties of materials.Until now,many wet methods for preparing Si_(3)N_(4) ceramic foams usually face the problems of complex rheology,long period,and expensive cost,and the reported pore sizes of Si_(3)N_(4) ceramic foams are typically micron-grade,resulting in a lack of competitiveness in thermal insulation and wave-transparent applications.In this paper,the Si_(3)N_(4)@SiO_(2) ceramic foams were prepared using an efficient dry-method,which combined three processes of low temperature chemical vapor deposition(LTCVD),template,and isostatic pressing.The method has the advantages of simple operation and short preparation period,and can realize near-net size molding and mass production.In addition,the evolution mechanisms of honeycomb microstructure and composition of Si_(3)N_(4)@SiO_(2) ceramic foam during sintering were studied by chemical reaction thermodynamics.The as-prepared Si_(3)N_(4)@SiO_(2) ceramic foam possesses low density(0.377 g·cm^(-3)),high compressive strength(7.5 MPa),low thermal conductivity(0.0808 W·m^(-1)·K^(-1)),and excellent dielectric properties(ε<1.32,tanδ<0.009)in the frequency range of 8-18 GHz,and its maximum working temperature in air can reach up to 1100℃.It will be recommended to be applied in the interlayer of Si_(3)N_(4) ceramic radome to improve its thermal insulation and electromagnetic wave transparency performances. 展开更多
关键词 silicon nitride ceramic foam honeycomb microstructure dielectric properties thermal insulation
原文传递
氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究 被引量:10
7
作者 李军奇 罗发 +1 位作者 朱冬梅 周万城 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期173-176,共4页
通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度。用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频... 通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度。用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性。结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能。 展开更多
关键词 氮化硅 多孔陶瓷 微波介电性能
下载PDF
SiO_2-AlN-BN复合材料的制备和性能研究 被引量:13
8
作者 吴洁华 郭景坤 李包顺 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期365-370,共6页
热压烧结制备了SiO2 -AlN -BN复合材料 ,研究了SiO2 -AlN -BN复合材料的力学性能、介电性能和热学性能 .结果说明 :第二相颗粒AlN和第三相颗粒BN的引入对SiO2 -AlN -BN复合材料的力学性能有显著的补强增韧作用 ,同时SiO2 -AlN -BN复合... 热压烧结制备了SiO2 -AlN -BN复合材料 ,研究了SiO2 -AlN -BN复合材料的力学性能、介电性能和热学性能 .结果说明 :第二相颗粒AlN和第三相颗粒BN的引入对SiO2 -AlN -BN复合材料的力学性能有显著的补强增韧作用 ,同时SiO2 -AlN -BN复合材料也展现了优秀的介电性能和热学性能而有望成为一新型介电复合材料 . 展开更多
关键词 氧化硅 氮化铝 氮化硼 复合陶瓷 性能 介电陶瓷
下载PDF
烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响(英文) 被引量:5
9
作者 于方丽 杨建锋 +2 位作者 薛耀辉 高积强 金志浩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1037-1041,共5页
通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%~54%)的氮化硅陶瓷。采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度。用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构。用谐振腔... 通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%~54%)的氮化硅陶瓷。采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度。用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构。用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2GHz的介电特性。结果表明:材料具有优良的介电性能。随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低。添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷。当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗弯强度可达170MPa,介电常数为3.0~3.2,介电损耗为0.0006~0.002。 展开更多
关键词 烧结助剂 氮化硅陶瓷 力学性能 介电性能
下载PDF
孔隙率和孔径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响 被引量:7
10
作者 徐洁 罗发 +1 位作者 朱冬梅 周万城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1327-1331,共5页
研究添加成孔剂法制备的有球形宏观孔的多孔氮化硅陶瓷在不同孔隙率和孔径下的介电性能。通过控制成孔剂苯甲酸的加入量和调节成孔剂的粒径可达到烧结体的气孔率和孔径可控的目的。结果表明:随着成孔剂量的增加,样品气孔率变大,反应烧... 研究添加成孔剂法制备的有球形宏观孔的多孔氮化硅陶瓷在不同孔隙率和孔径下的介电性能。通过控制成孔剂苯甲酸的加入量和调节成孔剂的粒径可达到烧结体的气孔率和孔径可控的目的。结果表明:随着成孔剂量的增加,样品气孔率变大,反应烧结后烧结体中的α-Si3N4相增多,样品的介电常数ε′和介电损耗tanδ降低。在成孔剂加入的质量分数为30%时,随着成孔剂的粒径变大,反应烧结后烧结体中气孔的直径变大而气孔率不变,样品的ε′和tanδ也相应降低。得到的样品中最低的ε′值为2.4297。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 孔隙率 孔径 介电性能
下载PDF
氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响 被引量:4
11
作者 胡汉军 周万城 +3 位作者 李坊森 罗发 朱冬梅 徐洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期109-111,共3页
以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加... 以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加入量的升高,氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损耗都升高,介电性能恶化。 展开更多
关键词 多孔氮化硅 氮化硅晶须 成孔剂 介电
下载PDF
介电陶瓷/导热硅橡胶复合材料的制备及介电性能研究 被引量:6
12
作者 姚军龙 郭沐杰 +3 位作者 江学良 朱海祥 冯亚光 周敏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期72-75,共4页
针对单一导热填料在高填充量下也无法同时提高硅橡胶介电、导热性能的问题,采用介电陶瓷钛酸锶(ST)、导热填料氮化硅(Si_3N_4)复合填充制备了Si_3N_4/ST/硅橡胶复合材料,研究了复合材料的介电和导热性能。采用LCR频谱分析仪和导热系数... 针对单一导热填料在高填充量下也无法同时提高硅橡胶介电、导热性能的问题,采用介电陶瓷钛酸锶(ST)、导热填料氮化硅(Si_3N_4)复合填充制备了Si_3N_4/ST/硅橡胶复合材料,研究了复合材料的介电和导热性能。采用LCR频谱分析仪和导热系数测试仪分别测试复合材料的介电常数和导热系数。结果表明:Si_3N_4与ST的共同填充提高了复合材料的介电性能和导热系数;Si_3N_4填充量为15%(体积分数,下同)时,Si_3N_4/硅橡胶复合材料的介电常数达到最大值5.4F/m;在Si_3N_4填充量保持不变、ST填充量为20%时,复合材料介电常数为纯硅橡胶介电常数的2.3倍,介电损耗保持在0.05以下,导热系数是纯硅橡胶的3倍。 展开更多
关键词 硅橡胶 介电性能 氮化硅 钛酸锶 复合材料 导热系数
下载PDF
天线罩用多孔氮化硅陶瓷的制备 被引量:4
13
作者 徐洁 周万城 +2 位作者 王俊勃 苏晓磊 贺辛亥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B06期411-415,共5页
采用反应烧结工艺,通过添加成孔剂的方法,制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响。实验结果表明,与未添加成孔剂的样品相比,成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率,使材料的... 采用反应烧结工艺,通过添加成孔剂的方法,制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响。实验结果表明,与未添加成孔剂的样品相比,成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率,使材料的介电常数ε′和介电损耗tanδ下降。孔的加入能促进针状氮化硅的生成,降低单位体积中产生的热量,防止局部过热从而避免硅熔现象的出现。缓慢的升温速率可促进α-Si3N4的生成,减少针状物,降低试样中游离硅的含量。烧结后的试样经过热处理可以使氧原子扩散进入材料内部,和试样中的游离Si结合成SiO2,降低试样的介电性能。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 制备工艺 介电性能 天线罩
下载PDF
一类新型高导热环氧模塑料的制备 被引量:4
14
作者 韩艳春 傅仁利 +2 位作者 何洪 沈源 宋秀峰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期34-36,40,共4页
采用Si3N4陶瓷作填料,制备了一类新型高导热的环氧模塑料,研究了Si3N4的含量、分布及其形态对复合材料的导热性能及介电性能的影响。结果表明:随着Si3N4粉末体积填充量的增加,复合材料的热导率显著提高,当填充量体积分数为60%时,复合材... 采用Si3N4陶瓷作填料,制备了一类新型高导热的环氧模塑料,研究了Si3N4的含量、分布及其形态对复合材料的导热性能及介电性能的影响。结果表明:随着Si3N4粉末体积填充量的增加,复合材料的热导率显著提高,当填充量体积分数为60%时,复合材料的热导率达到2.3W/(m·K),其介电常数随体积填充量的增加亦有所增加,但仍然维持在低水平。采用Agari模型进行理论计算的结果表明,该体系导热性能的提高与Si3N4填料之间热传导网络的形成有关。 展开更多
关键词 复合材料 环氧模塑料 氮化硅 导热性能 介电性能 理论模型
下载PDF
预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷性能的影响 被引量:3
15
作者 徐洁 罗发 +1 位作者 朱冬梅 周万城 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2008年第3期39-43,共5页
研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响。通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷。反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预... 研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响。通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷。反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预烧。结果表明,随着预烧结温度的增高和时间的加长,反应烧结后烧结体的强度明显提高,介电常数ε′和介电损耗tanδ都有小幅度的增加。在硅粉中添加5wt%Y2O3+5wt%Al2O3进行预烧,可以减小反应烧结后试样的ε′,并且随预烧结时间的增加而减小。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 预烧结 介电性能 抗弯强度
下载PDF
透波氮化硅纤维的综合性能评价表征研究 被引量:3
16
作者 张娟 周明星 +2 位作者 张敬义 周军 张大海 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期72-75,94,共5页
系统研究了氮化硅纤维的基本物理性能、力学性能和介电性能,并且探究了各性能的测试方法。结果表明,氮化硅纤维在1 500℃的高温强度保留率达到50%以上,介电常数为6.0左右,说明氮化硅纤维可以作为透波材料在苛刻的高温环境下长时使用。
关键词 氮化硅纤维 评价表征 力学强度 介电性能
下载PDF
孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响 被引量:2
17
作者 李军奇 赵锴 +3 位作者 徐洁 罗发 朱冬梅 周万城 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期557-559,共3页
采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3GHz的微波介电性能。用SEM对微观形貌进行观察。结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大... 采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3GHz的微波介电性能。用SEM对微观形貌进行观察。结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大的孔、洞分布在较致密的基体上;冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔结构。对试样介电特性的研究表明,除了气孔率对介电常数和介电损耗有较大影响外,孔结构也是影响其介电特性的重要因素。 展开更多
关键词 氮化硅 多孔陶瓷 成孔剂 冰冻 干燥法 介电性能
下载PDF
硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响(英文) 被引量:2
18
作者 徐洁 朱冬梅 +1 位作者 罗发 周万城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期848-851,共4页
以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷。研究了硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响。结果表明:烧结后样品的介电常数ε′和介电损耗... 以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷。研究了硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响。结果表明:烧结后样品的介电常数ε′和介电损耗tanδ随着初始硅粉粒径的减小都有明显的降低。平均颗粒尺寸为7μm的硅粉制备的样品的ε′最小,约为2.5。原料硅粉的粒径变化将影响反应烧结的反应速率,从而影响反应烧结后样品的生成相和微观结构。随着平均颗粒尺寸的减小,反应烧结后Si3N4相含量增加,Si2ON2相和游离硅含量减少,气孔变小。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 反应烧结 硅粉 粒径 介电性能
下载PDF
LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响 被引量:2
19
作者 陈克铭 李国花 +1 位作者 吕惠云 陈朗星 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期721-727,共7页
本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原... 本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10^(21)cm^(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了LPCVD氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm^(-1))N-H(1200cm^(-1)),Si-H(2258cm^(-1))和N-H(3349cm^(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围. 展开更多
关键词 氮化硅膜 LPCVD 氢含量 敏感特性
下载PDF
氮化硅高温透波材料的研究现状和展望 被引量:13
20
作者 李端 张长瑞 +2 位作者 李斌 曹峰 王思青 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期4-9,共6页
从氮化硅的晶体结构出发,介绍了氮化硅陶瓷优良的性能,综述了近年来氮化硅透波纤维和氮化硅基透波复合材料的研究进展,并对现有氮化硅高温透波材料体系存在的问题及其未来的发展趋势作了展望。
关键词 氮化硅 透波 纤维 复合材料 天线罩 先驱体浸渍裂解 力学性能 介电性能
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部