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A New Model of Interfacial Physical Contact in Diffusion Bonding 被引量:1
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作者 Peng HE, Jicai FENG and Yiyu QIANNational Key Laboratory of Advanced Welding Production Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第1期109-112,共4页
Through eliminating voids not affecting the primary bonding process, and incorporating interlayer and flexible base material, the interface geometry character and brief mathematics process were put forth. Through anal... Through eliminating voids not affecting the primary bonding process, and incorporating interlayer and flexible base material, the interface geometry character and brief mathematics process were put forth. Through analyzing contact process of diffusion bonding, contact area model was settled. It can interpret the phenomenon of different interface areas taking on different strengths. In the course of physical contact, shear stresses serve an important function for the plastic deformation and the cohesion of interface voids. 展开更多
关键词 diffusion bonding physical contact interface layer
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Influences of diffusion bonding process parameters on bond characteristics of Mg-Cu dissimilar joints 被引量:11
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作者 G. MAHENDRAN V. BALASUBR AMANIAN T. SENTHILVELAN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期997-1005,共9页
In many circumstances,dissimilar metals have to be bonded together and the resulting joint interfaces must typically sustain mechanical and/or electrical forces without failure,which is not possible by fusion welding ... In many circumstances,dissimilar metals have to be bonded together and the resulting joint interfaces must typically sustain mechanical and/or electrical forces without failure,which is not possible by fusion welding processes.The melting points of magnesium(Mg)and copper(Cu)have a significant difference(nearly 400℃)and this may lead to a large difference in the microstructure and joint performance of Mg-Cu joints.However,diffusion bonding can be used to join these alloys without much difficulty.This work analyses the effect of parameters on diffusion layer thickness,hardness and strength of magnesium-copper dissimilar joints.The experiments were conducted using three-factor,five-level,central composite rotatable design matrix.Empirical relationships were developed to predict diffusion layer thickness,hardness and strength using response surface methodology.It is found that bonding temperature has predominant effect on bond characteristics.Joints fabricated at a bonding temperature of 450℃, bonding pressure of 12 MPa and bonding time of 30 min exhibited maximum shear strength and bonding strength of 66 and 81 MPa, respectively. 展开更多
关键词 粘结性能 异种接头 焊接工艺参数 扩散焊 中心旋转组合设计 扩散层厚度
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Atom Diffusion Behavior and Bonding Strength of Ag/Cu Composite Interface
3
作者 曾建谋 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第3期79-82,共4页
The atom (Ag,Cu) diffusion behavior and the effect of technology on the interface of rolled Ag/Cu composite contact were investigated. The concentration of Ag and Cu atoms near the interface was determined with electr... The atom (Ag,Cu) diffusion behavior and the effect of technology on the interface of rolled Ag/Cu composite contact were investigated. The concentration of Ag and Cu atoms near the interface was determined with electron probe. The bonding strength of composite interface was tested and the fracture in tensile sample was observed by SEM. The results show that there was inter diffusion of Ag and Cu atoms on the interface, which formed compact layer with high bonding strength of 98 MPa. The practical application proved that the Ag/Cu composite interface is reliable. 展开更多
关键词 Ag Cu composite interface contact materials Atom diffusion bonding strength
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Effect of bonding interface on delamination behavior of drawn Cu/Al bar clad material 被引量:8
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作者 Sangmok LEE Min-Geun LEE +4 位作者 Sang-Pill LEE Geun-Ahn LEE Yong-Bae KIM Jong-Sup LEE Dong-Su BAE 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2012年第S3期645-649,共5页
Cu/Al bar clad material was fabricated by a drawing process and a subsequent heat treatment.During these processes,intermetallic compounds have been formed at the interface of Cu/Al and have affected its bonding prope... Cu/Al bar clad material was fabricated by a drawing process and a subsequent heat treatment.During these processes,intermetallic compounds have been formed at the interface of Cu/Al and have affected its bonding property.Microstructures of Cu/Al interfaces were observed by OM,SEM and EDX Analyser in order to investigate the bonding properties of the material.According to the microstructure a series of diffusion layers were observed at the interface and the thicknesses of diffusion layers have increased with aging time as a result of the diffusion bonding.The interfaces were composed of 3-ply diffusion layers and their compositions were changed with aging time at 400 °C.These compositional compounds were revealed to be η2,(θ+η2),(α+θ) intermetallic phases.It is evident from V-notch impact tests that the growth of the brittle diffusion layers with the increasing aging time directly influenced delamination distance between the Cu sleeve and the Al core.It is suggested that the proper holding time at 400 °C for aging as post heat treatment of a drawn Cu/Al bar clad material would be within 1 h. 展开更多
关键词 drawn CU/AL BAR CLAD MATERIAL aging bonding interface INTERMETALLIC compound diffusion layer DELAMINATION
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碲化铋基热电器件的界面研究进展
5
作者 武云笑 夏凯阳 +3 位作者 胡惠平 张宇 付晨光 朱铁军 《铜业工程》 CAS 2024年第3期31-39,共9页
热电转换技术是一种直接将电能和热能相互转换的技术,在航空航天、新型能源、电子通信等领域具有重要的应用价值。碲化铋材料是最早被发现的半导体热电材料之一,它在室温附近所展现出的优异热电性能,使碲化铋基热电器件成为目前唯一成... 热电转换技术是一种直接将电能和热能相互转换的技术,在航空航天、新型能源、电子通信等领域具有重要的应用价值。碲化铋材料是最早被发现的半导体热电材料之一,它在室温附近所展现出的优异热电性能,使碲化铋基热电器件成为目前唯一成功商业化应用的热电器件。近年来,随着5G光通信和电子芯片行业对新型制冷技术需求的持续增长,热电制冷器件的应用备受瞩目。此外,碲化铋基发电器件在低温废热回收领域也具有巨大的应用前景。然而,碲化铋基热电器件发展仍然存在一些挑战,其中器件的界面问题严重制约了其产业化应用。尤其在发电器件制备方面,仍然缺乏有效的高温界面阻挡层材料。本文从碲化铋基热电器件应用面临的界面问题出发,重点介绍相关界面研究进展,阐述界面对器件性能的影响机制,并分析改善界面性能的有效策略。 展开更多
关键词 热电器件 界面性能 界面接触电阻 界面结合强度 扩散阻挡层
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Over 12%efficient kesterite solar cell via back interface engineering 被引量:2
6
作者 Yunhai Zhao Zixuan Yu +8 位作者 Juguang Hu Zhuanghao Zheng Hongli Ma Kaiwen Sun Xiaojing Hao Guangxing Liang Ping Fan Xianghua Zhang Zhenghua Su 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期321-329,I0008,共10页
Kesterite Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)has attracted considerable attention as a non-toxic and earthabundant solar cell material.During selenization of CZTSSe film at high temperature,the reaction between CZTSSe and Mo... Kesterite Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)has attracted considerable attention as a non-toxic and earthabundant solar cell material.During selenization of CZTSSe film at high temperature,the reaction between CZTSSe and Mo is one of the main reasons that result in unfavorable absorber and interface quality,which leads to large open circuit voltage deficit(VOC-def)and low fill factor(FF).Herein,a WO_(3)intermediate layer introduced at the back interface can effectually inhibit the unfavorable interface reaction between absorber and back electrode in the preliminary selenization progress;thus high-quality crystals are obtained.Through this back interface engineering,the traditional problems of phase segregation,voids in the absorber and over thick Mo(S,Se)_(2)at the back interface can be well solved,which greatly lessens the recombination in the bulk and at the interface.The increased minority carrier diffusion length,decreased barrier height at back interface contact and reduced deep acceptor defects give rise to systematic improvement in VOCand FF,finally a 12.66%conversion efficiency for CZTSSe solar cell has been achieved.This work provides a simple way to fabricate highly efficient solar cells and promotes a deeper understanding of the function of intermediate layer at back interface in kesterite-based solar cells. 展开更多
关键词 Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4) WO_(3)intermediate layer Crystal growth Minority carrier diffusion length interface contact quality
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n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响 被引量:1
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作者 华思恒 杨东旺 +7 位作者 唐昊 袁雄 展若雨 徐卓明 吕嘉南 肖娅妮 鄢永高 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期163-169,共7页
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电... Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。 展开更多
关键词 Bi_(2)Te_(3) 界面结合强度 界面接触电阻 镍阻挡层 微型热电器件
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Achieving Reliable CoSb_(3) based thermoelectric joints with low contact resistivity using a high-entropy alloy diffusion barrier layer
8
作者 Z.Sun X.Chen +2 位作者 Juncheng Zhang Huiyuan Geng L.X.Zhang 《Journal of Materiomics》 SCIE 2022年第4期882-892,共11页
Skutterudite(SKD)thermoelectric materials have high conversion efficiency,great mechanical proper-ties,and economical practicability in the medium temperature range(500e550C).They need to bejoined with metal electrode... Skutterudite(SKD)thermoelectric materials have high conversion efficiency,great mechanical proper-ties,and economical practicability in the medium temperature range(500e550C).They need to bejoined with metal electrodes to form a thermoelectric power generation device during application.However,high contact resistivity,severe element diffusion,and large coefficient of thermal expansionmismatch are main obstacles for their applications.To address these issues,a FeCoNiCrMo high-entropyalloy diffusion barrier layer was designed and prepared using an arc smelting method in this paper.Effectof heating temperatures on the microstructure and properties of the bonded joints were investigated.The maximum shear strength was 21.6 Mpa and the corresponding reaction layer thickness,contactresistivity were 3.77 mm,1.8 mUcm2 respectively at 600C,40 MPa,10 min.Shear strength dropped downto 18.8 MPa and the contact resistivity increased to 4.2 mU cm2 after aging for 640 h.Numerical modelwas established and it predicted that the contact resistivity would keep lower than 6.5 mU cm2(300 h,100 days)and 11 mU cm2(8760 h,1 year)and the reaction layer thickness would not exceed 25 mm(2400 h,100 days)and 45 mm(8760 h,1 year). 展开更多
关键词 High-entropy diffusion barrier layer SKUTTERUDITE diffusion bonding Microstructure Shear strength contact resistivity
原文传递
扩散连接界面物理接触行为的动态模型 被引量:8
9
作者 何鹏 冯吉才 钱乙余 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期60-64,共5页
通过把连接初期可能存在的不影响连接进程的空洞排除掉 ,并把中间层与屈服极限较小的母材一体化 ,提出了既能真实反映实际表面几何形状及连接时表面间的接触几何特性 ,又能简化紧密接触与接合面积数学处理过程的扩散连接接头接触界面几... 通过把连接初期可能存在的不影响连接进程的空洞排除掉 ,并把中间层与屈服极限较小的母材一体化 ,提出了既能真实反映实际表面几何形状及连接时表面间的接触几何特性 ,又能简化紧密接触与接合面积数学处理过程的扩散连接接头接触界面几何模型。分析了扩散连接过程的重要阶段 -物理接触阶段 ,并建立了相应的接合面积计算模型 ,利用此模型可以很好地解释扩散连接接头界面不同区域接合强度不同的现象。模型显示 ,在扩散连接的物理接触过程中 ,不同区域的接合能力不同 。 展开更多
关键词 扩散连接 物理接触 中间层 动态模型
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TLP连接技术在不锈钢-3003铝合金复合板制备中的应用 被引量:5
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作者 祖国胤 王宁 +1 位作者 于九明 温景林 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期79-83,共5页
借鉴TLP连接技术在其它领域的最新研究进展, 提出利用4045铝合金为中间层材料, 采用轧制复合的方法生产不锈钢 3003铝合金复合板的新工艺。研究结果表明: 在加热温度为570℃的条件下, 依靠轧制过程中产生的变形热, 中间层4045铝合金出... 借鉴TLP连接技术在其它领域的最新研究进展, 提出利用4045铝合金为中间层材料, 采用轧制复合的方法生产不锈钢 3003铝合金复合板的新工艺。研究结果表明: 在加热温度为570℃的条件下, 依靠轧制过程中产生的变形热, 中间层4045铝合金出现了理想的瞬间液化现象, 复合界面处发生了一系列类似于 TLP连接过程的物理冶金行为, 两种基体实现了良好的复合, 复合板的主要力学性能得到了明显的改善。提出了轧制复合工艺中TLP连接过程的四阶段模型, 认为中间层熔化阶段是该工艺的技术核心。 展开更多
关键词 复合 TLP连接 中间层 扩散 界面
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Ti−6Al−4V/Ti−22Al−25Nb扩散连接接头的显微组织和力学性能 被引量:5
11
作者 林鹏 席先铮 +4 位作者 赵文凯 杨蕊红 林飞 崔晓磊 刘钢 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第5期1339-1349,共11页
在950℃、15 MPa和100 min条件下对Ti-6Al-4V (质量分数,%)和Ti-22Al-25Nb (摩尔分数,%)合金进行扩散连接,并对接头的显微组织和力学性能进行研究。扩散层由B2相层、α/α2相层和项链状的β+α’相层组成。扩散层某一点的成分取决于该... 在950℃、15 MPa和100 min条件下对Ti-6Al-4V (质量分数,%)和Ti-22Al-25Nb (摩尔分数,%)合金进行扩散连接,并对接头的显微组织和力学性能进行研究。扩散层由B2相层、α/α2相层和项链状的β+α’相层组成。扩散层某一点的成分取决于该点到界面的距离和该点所处的相的类型。接头的抗拉强度为894MPa,和Ti-22Al-25Nb基体的强度相当。接头断面由两类区域组成:一类区域为相对较平的断面,沿界面发生断裂;另一类为Ti-6Al-4V端形状不规则的空洞和Ti-22Al-25Nb端形状不规则的凸起。这两类区域均为沿β+α’相层和αp相晶粒的界面断裂或为αp相晶粒的穿晶断裂。 展开更多
关键词 扩散连接 Ti−6Al−4V Ti−22Al−25Nb 界面 扩散层
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相变扩散连接界面物理接触行为的数值分析 被引量:3
12
作者 何鹏 张九海 +1 位作者 冯吉才 钱乙余 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第S1期72-76,共5页
从力学的角度出发,建立了相变扩散连接接头界面的接触应力、摩擦应力的分布模型,深入分析了相变扩散连接的重要阶段—物理接触阶段,并建立了合理的微观物理接触及有效结合面积模型,模拟结果与试验结果吻合良好。
关键词 相变扩散连接 接触应力 摩擦应力 物理接触
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本底真空度对磁控溅射Cr/C镀层微观形貌及结合强度的影响 被引量:2
13
作者 李洪涛 蒋百灵 +3 位作者 陈迪春 曹政 蔡敏利 苗启林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期523-526,共4页
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与结合强度的变化。结果表明,随本底真空度的降低,Cr/C镀层中物理混合界面层和Cr金属打底层的厚度显著减小;... 采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与结合强度的变化。结果表明,随本底真空度的降低,Cr/C镀层中物理混合界面层和Cr金属打底层的厚度显著减小;镀层结合强度随本底真空度的降低显著下降,物理混合界面层、Cr金属打底层厚度的减小以及镀层表面孔洞等缺陷增多、致密度变差等共同导致了其结合强度的下降。 展开更多
关键词 本底真空度 物理混合界面层 Cr金属打底层 结合强度
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预测钛合金超塑成形-扩散连接(SPF/DB)界面层的断裂韧度 被引量:1
14
作者 吴诗惇 向毅斌 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期84-87,共4页
提出根据超塑成形一扩散连接(SPF/DB)的工艺技术参数预测扩散连接界面层断裂韧度的计算方法,并对TC4/TA2连接件,开发了相应的界面层断裂韧度的分析和预测软件系统。该计算方法首先在理论分析和试验的基础上,建立扩散连接界面层成长模... 提出根据超塑成形一扩散连接(SPF/DB)的工艺技术参数预测扩散连接界面层断裂韧度的计算方法,并对TC4/TA2连接件,开发了相应的界面层断裂韧度的分析和预测软件系统。该计算方法首先在理论分析和试验的基础上,建立扩散连接界面层成长模型,获得扩散连接件界面层厚度的计算公式,确定材料过渡参数m的计算方法;其次对已有的混合型外载的界面断裂准则进行修正,使其适用于扩散连接件界面层断裂时能量释放率曲线的函数模型。计算结果与试验结果吻合良好。分析结果表明:在允许工艺参数范围内,扩散连接件界面断裂韧度随成形温度、成形压力和保压时间的提高而提高。其中,成形压力影响最大,然后依次为保压时间和成形温度。为了提高扩散连接界面层的断裂韧度,必须通过界面层设计来提高其界面裂尖断裂混合度,而上述各工艺技术参数,正与其裂尖断裂混合度的大小密切相关。 展开更多
关键词 预测 超塑成形 扩散连接 界面层 断裂韧度 钛合金 SPF/DB
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Ti/Al层状复合涂层电极的制备及性能研究 被引量:1
15
作者 张瑾 竺培显 周生刚 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第10期157-160,共4页
利用热压扩散焊接工艺,分别在不同焊接时间条件下制备了结构为Ti/Al/Ti/Sn O2+Sb2O3/Pb O2的层状复合涂层电极,通过扫描电镜分析了Ti/Al基体的组织结构和表面形貌,采用四探针法测量了复合电极基体电阻并测试了电极加速寿命。结果表明:... 利用热压扩散焊接工艺,分别在不同焊接时间条件下制备了结构为Ti/Al/Ti/Sn O2+Sb2O3/Pb O2的层状复合涂层电极,通过扫描电镜分析了Ti/Al基体的组织结构和表面形貌,采用四探针法测量了复合电极基体电阻并测试了电极加速寿命。结果表明:基体焊接时间为120 min时,制备的Ti/Al基复合涂层电极表面活性物质Pb O2颗粒尺寸均匀细小且比表面积大,具有良好的电化学性能;与传统的Ti/Sn O2+Sb2O3/Pb O2相比,电阻率仅为纯Ti的1/10。加速寿命试验测得的电极寿命达46 h,具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 Ti/Al层状复合涂层电极 热压扩散焊接 界面电阻 加速寿命
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衬层/推进剂界面粘接优劣的判定和时空特征 被引量:3
16
作者 毛丹 马浩然 +3 位作者 杨根 池旭辉 庞爱民 杨梅 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期779-783,共5页
为了准确测定衬层/推进剂界面组成、分布特征及迁移规律,文中利用原位显微红外技术,测定了某些样品的衬层/推进剂界面法线方向不同位置的红外光谱,通过比较界面、推进剂、衬层的红外谱图,获得了界面法线方向基团和组成的空间变化信息,... 为了准确测定衬层/推进剂界面组成、分布特征及迁移规律,文中利用原位显微红外技术,测定了某些样品的衬层/推进剂界面法线方向不同位置的红外光谱,通过比较界面、推进剂、衬层的红外谱图,获得了界面法线方向基团和组成的空间变化信息,判断出组分在界面的分布、迁移方向和扩散层厚度;利用迁移方向和扩散层厚度能够判定界面粘接的优劣:从推进剂向衬层扩散的界面粘接性能差,反之粘接性能好;通过对不同老化时间样品的测试,获得了界面法线方向组成随时间变化的特征和扩散层厚度变化趋势。 展开更多
关键词 显微红外技术 衬层/推进剂界面 原位 扩散层
全文增补中
接触反应钎焊技术研究进展 被引量:3
17
作者 聂海杰 李红 +1 位作者 龙伟民 钟素娟 《焊接》 北大核心 2015年第5期25-29,69,共5页
综述了国内外关于接触反应钎焊工艺试验和连接机理的研究进展,介绍了钎焊温度、保温时间、中间层厚度和连接压力对同种和异种材料接触反应钎焊接头性能的影响,认为中间层材料的选择对于保证异种材料接触反应偶中共晶液相的产生及控制其... 综述了国内外关于接触反应钎焊工艺试验和连接机理的研究进展,介绍了钎焊温度、保温时间、中间层厚度和连接压力对同种和异种材料接触反应钎焊接头性能的影响,认为中间层材料的选择对于保证异种材料接触反应偶中共晶液相的产生及控制其方向性非常重要。基于接触反应钎焊连接机理动力学模型,将钎焊界面形成过程分为固相点接触扩散阶段、液相产生阶段、液相扩散阶段、等温凝固阶段和残余液相析出阶段,总结了各个阶段的特点。对接触反应钎焊技术的研究趋势进行了预测,认为一些新型中间层材料及中间层制备技术的研发有助于拓展接触反应钎焊技术的应用。该方法的连接机理的数学模型和数值模拟技术还需要进一步研究和探讨。 展开更多
关键词 接触反应钎焊 共晶 中间层 扩散 界面
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Cu-Ni扩散反应层形成的TFDC模型
18
作者 宋玉强 张振亚 李敏 《机械制造文摘(焊接分册)》 2017年第3期1-5,共5页
TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的核心思想是"材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界条件是电子密度处处连续"。建立Cu/Ni相界面扩散反应的TFDC模型对于扩散连接工艺中相界面扩散反应的研究具有重要的... TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的核心思想是"材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界条件是电子密度处处连续"。建立Cu/Ni相界面扩散反应的TFDC模型对于扩散连接工艺中相界面扩散反应的研究具有重要的意义。文中以Cu-Ni相界面为例,首先依据TFDC电子理论、利用其电子密度处处连续的边界条件,论述了Cu/Ni相界面扩散反应层的形成和生长,然后建立了Cu/Ni相界面扩散反应的TFDC模型。扩散反应层的形成和长大是各相层界面电子密度连续的结果,二元金属扩散反应层的研究可以借助于TFDC电子理论进行深入研究。 展开更多
关键词 金属物理学 扩散连接 TFDC电子理论 扩散反应层 CU-NI TFDC模型 界面
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ITER第一壁实验件的铍-铜连接界面分析 被引量:1
19
作者 李战锋 谌继明 +1 位作者 王平怀 金凡亚 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期205-210,共6页
在ITER第一壁实验件的研究中,采用热等静压扩散连接技术对Be与Cu Cr Zr合金进行连接实验,对完成扩散连接的部分连接件采用退火处理。对所有连接件进行超声波无损探伤后,检测到未退火的连接件Be/Cu连接界面存在缺陷。为分析扩散界面缺陷... 在ITER第一壁实验件的研究中,采用热等静压扩散连接技术对Be与Cu Cr Zr合金进行连接实验,对完成扩散连接的部分连接件采用退火处理。对所有连接件进行超声波无损探伤后,检测到未退火的连接件Be/Cu连接界面存在缺陷。为分析扩散界面缺陷产生原因,从连接件的无缺陷区取样并进行界面微观分析。通过观察微观形貌和分析界面扩散层合金元素的变化,发现退火处理过的Be-Cu扩散界面的Cu-Ti扩散层和未扩散的Ti层厚度增加,中间层中Be与Cu元素形成脆性相的几率降低,整个扩散层厚度变大,扩散范围加大。实验表明退火工艺能改变Be/Cu热等静压扩散层连接结构组成,扩大扩散连接范围。 展开更多
关键词 热等静压扩散连接 超声波检测 Be-Cu界面 扩散层 退火
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Ni对Cu/Al界面冶金反应及组织演变的影响 被引量:1
20
作者 魏艳妮 罗永光 +3 位作者 曲洪涛 谭世友 邹军涛 梁淑华 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期402-406,共5页
设计了不同厚度的Ni中间层,采用阶梯式真空扩散连接工艺方法,对Cu/Al的异质复合界面组织形貌及冶金反应进行了研究。利用扫描电镜(SEM)及能谱(EDS),对异质复合界面的微观组织进行了分析,采用剪切试验及显微硬度测试对异质复合界面的结... 设计了不同厚度的Ni中间层,采用阶梯式真空扩散连接工艺方法,对Cu/Al的异质复合界面组织形貌及冶金反应进行了研究。利用扫描电镜(SEM)及能谱(EDS),对异质复合界面的微观组织进行了分析,采用剪切试验及显微硬度测试对异质复合界面的结合强度及硬度分布进行了研究。结果表明,Ni中间层可阻止Cu和Al间生成脆性金属间化合物,其中Ni/Al界面生成了明显的两层Al3Ni和Al3Ni2化合物,而Cu/Ni界面出现了明显的元素成分渐变的固溶体相;当添加Ni箔厚度为20μm时,Ni箔刚好消耗完,连接界面无明显缺陷,且界面的剪切强度最高。 展开更多
关键词 Ni中间层 扩散连接 微观组织 界面反应
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