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Structural Design of an Electrically Erasable EEPROM Memory Cell
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作者 Lei Zhao 《World Journal of Engineering and Technology》 2020年第2期179-187,共9页
EEPROM is an electrically erasable and programmable memory. The technology is mature and stable with low cost, so it is the mainstream in the application of electronic products in daily life. People use it in every wa... EEPROM is an electrically erasable and programmable memory. The technology is mature and stable with low cost, so it is the mainstream in the application of electronic products in daily life. People use it in every way. In the fields of personal identity card, bank card, medical insurance card, traffic card and other smart cards, which are closely related to personal property, and in the field of communication system and other consumer electronic products such as PDA and digital camera, EEPROM is used. In instruments and other embedded systems, such as smart flowmeters, it is usually necessary to store information such as setting parameters, field data, etc., which requires that the system is not lost when it is powered down so that the data you originally set could be restored next time. Therefore, a certain capacity of?EEPROM.?Through the storage or release of electrons on the floating gate tube of the memory cell, the memory appears to be on or off when the floating gate tube is read, so its logic value will be judged as “0”?Or?“1”. The definition of logic “0” or “1” varies depending on the logical design of the product. This work designs a memory cell consisting of two transistors. The NMOS tube is used as a selection tube and controlled by the word line. It can withstand a part of the high voltage and reduce the probability of breakdown of the ultra-thin oxide layer of the floating gate transistor. As a storage tube, the EEPROM device model designed in this paper can work well through the tunnel oxide layer to store data, achieving better storage functions, higher work efficiency, and lower power consumption. 展开更多
关键词 eeprom memory STORAGE Array digital LOGic Control CIRCUIT
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SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命 被引量:8
2
作者 成立 王振宇 景亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期8-12,共5页
集成电路芯片设计是IC产业链的龙头,而系统芯片(SOC)集中了芯片设计的先进技术。本文论述了SOC芯片的最新设计技术和焦点技术,包括嵌入式CPU,IP模块设计以及芯片的验证和测试等,展望了当前SOC芯片设计的发展趋势。
关键词 系统芯片 集成电路 ic产业链 存储器 数字信号处理器 微电予技术
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EEPROM存贮单元的版图设计
3
作者 邵丙铣 郑源伟 鲍慧君 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第5期54-58,共5页
本文阐述了浮栅EEPROM存贮单元的工作原理及图形设计的方法考虑。比较和分析了四种不同的单元图形的利弊得失以及EEPROM中低掺杂漏区(LDD)结构的图形与工艺技术。
关键词 eeprom 存储器 电可擦除 编程序储器
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应用于存储卡中的新型EEPROM单元结构
4
作者 王凛 陈亮 杨莲兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期99-102,共4页
通常的EEPROM单元在应用于实际的存储卡时,因为进位而导致逻辑操作复杂。文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因,提出了一种新型的EEPROM单元结构,并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善。通过该结构与常规EE... 通常的EEPROM单元在应用于实际的存储卡时,因为进位而导致逻辑操作复杂。文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因,提出了一种新型的EEPROM单元结构,并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善。通过该结构与常规EEPROM单元的应用加以比较,进一步说明了其优点。 展开更多
关键词 eeprom单元 存储器 数字集成电路
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RFID标签芯片的最新研究进展 被引量:12
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作者 刘冬生 邹雪城 +1 位作者 刘政林 金海 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期779-784,共6页
射频识别(RFID)系统是一种具有广泛应用前景的自动识别系统。近年来,射频识别技术以快速增长趋势在供应链、门禁、公交系统、行李跟踪等领域获得了广泛的应用。文章详细论述了不同频段RFID标签芯片的最新研究进展,对标签芯片的核心模块... 射频识别(RFID)系统是一种具有广泛应用前景的自动识别系统。近年来,射频识别技术以快速增长趋势在供应链、门禁、公交系统、行李跟踪等领域获得了广泛的应用。文章详细论述了不同频段RFID标签芯片的最新研究进展,对标签芯片的核心模块射频模拟前端、数字控制器、存储器的研究及发展趋势进行了分析。最后,讨论了标签芯片的发展方向。 展开更多
关键词 射频识别 标签芯片 模拟前端 数字控制器 存储器
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N管开启电压调整注入对P-N结击穿电压的影响 被引量:1
6
作者 吴正立 严利人 +3 位作者 王纪民 蒋志 王勇 费圭甫 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第4期247-249,共3页
为了讨论问题方便,定义了两种P-N结:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏P-N结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V... 为了讨论问题方便,定义了两种P-N结:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏P-N结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。 展开更多
关键词 数字集成电路 存储器 eeprom 开启电压调整
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掺砷多晶硅的热氧化 被引量:1
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作者 吴正立 严利人 +4 位作者 王纪民 蒋志 费圭甫 王美荣 乔忠林 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期192-194,共3页
在EEPROM的研制中,为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系,进行了800℃湿氧氧化和1000℃干氧氧化实验。结果表明,经过工艺优化,选择适当的工艺方案,获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。
关键词 eeprom 半导体工艺 多晶硅 热氧化 掺杂
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SoC实时信号处理系统中的存储系统设计 被引量:1
8
作者 李栋 付博 涂宝招 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2005年第5期163-165,共3页
在实时信号处理系统中,常常需要对原始数据以及中间处理数据以行或列交错的形式进行访问,使用通用的DDR-SDRAM系统难以满足系统的实时要求.在基于SoC(System on Chip)技术的实时信号处理系统中,设计了具有全新体系结构的存储系统,新的... 在实时信号处理系统中,常常需要对原始数据以及中间处理数据以行或列交错的形式进行访问,使用通用的DDR-SDRAM系统难以满足系统的实时要求.在基于SoC(System on Chip)技术的实时信号处理系统中,设计了具有全新体系结构的存储系统,新的存储系统的访存效率达到一般的DDR-SDRAM的2~3倍左右. 展开更多
关键词 SOC ic DDR存储系统 实时信号处理系统
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E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制
9
作者 吴正立 严利人 +3 位作者 王纪民 蒋志 王勇 费圭甫 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第5期342-344,共3页
提出了一种计算耗尽型N管夹断电压VTD的方法。该方法引用通常的VTD计算公式,式中难以确定的参数N(沟道内平均杂质浓度)由工艺模拟的结果导出,其他参数则由工艺参数导出。计算出的VTD用作制定实验方案的参考。经工艺实验... 提出了一种计算耗尽型N管夹断电压VTD的方法。该方法引用通常的VTD计算公式,式中难以确定的参数N(沟道内平均杂质浓度)由工艺模拟的结果导出,其他参数则由工艺参数导出。计算出的VTD用作制定实验方案的参考。经工艺实验得到的两条控制曲线均可将VTD控制在-2.5~-3.5V之间。 展开更多
关键词 数字集成电路 集成电路卡 存储器 E^2PROM
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提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究
10
作者 吴正立 严利人 +3 位作者 王纪民 蒋志 王勇 费圭甫 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第5期339-341,共3页
为了提高E2PROM中N管源漏穿通电压(VPT),用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低压区短沟N管;DDD工艺可大幅度提高VPT,但pn结击... 为了提高E2PROM中N管源漏穿通电压(VPT),用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低压区短沟N管;DDD工艺可大幅度提高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管; 展开更多
关键词 数字集成电路 存储器 E^2PROM
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E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制
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作者 吴正立 严利人 +3 位作者 王纪民 蒋志 王勇 费圭甫 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第5期345-347,共3页
采用实验研究的方法,通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对PMOS管开启电压的影响,很好地解决了开启电压的工艺控制问题,同时又保证了pn结击穿电压的要求。
关键词 数字集成电路 存储器 E^2PROM PMOS
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一种FLASH存储单元的结构及功能分析 被引量:5
12
作者 刘寅 朱钧 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页
讨论了一种新颖的不挥发存储器单元——FLASH的结构描述及器件模拟,对实验单元进行了测试,采用分离电压的方法进行擦操作并进行分析。这种单元占用芯片面积小,很有发展前景。
关键词 存储器 数字电路 FLASH单元 eeprom
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三维数字沙盘标准模块的设计与实现 被引量:3
13
作者 杨奇 车明 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期51-56,共6页
为完成对三维数字沙盘机械装置的控制,设计基于嵌入式的三维数字沙盘标准模块,并针对机械装置自身硬件误差导致的行程中断异常以及突发性断电后数据丢失等问题,提出从软件角度弥补硬件行程中断误差以及预防断电的数据保护方案。硬件行... 为完成对三维数字沙盘机械装置的控制,设计基于嵌入式的三维数字沙盘标准模块,并针对机械装置自身硬件误差导致的行程中断异常以及突发性断电后数据丢失等问题,提出从软件角度弥补硬件行程中断误差以及预防断电的数据保护方案。硬件行程中断误差的弥补方案通过模拟中断过滤层,设计消抖机制和中断合法性机制,过滤杂波并判断中断的合法性,保留正确的中断脉冲,从而保证中断模块的准确响应。防断电的数据保护方案是基于EEPROM对目标数据、数据状态及模块状态的存储,通过模块状态判断是否对装置进行恢复,根据数据状态判定目标数据的有效性,为装置的恢复提供有效数据。理论分析及实验结果表明,与原始方法相比,该方案机械装置出错率降至0.5%,并在供电异常时可进行有效恢复,提高了机械装置的稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 三维数字沙盘 硬件误差 电擦除可编程只读存储器 可靠控制 数据保护
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浮栅E^2PROM内部工作电压的设计 被引量:1
14
作者 郑源伟 古亮 邵西铣 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第2期79-83,共5页
详细地描述了E2PROM电路中内部工作电压的设计原理,介绍了实际的高压泵、斜波电路、电压切换电路。用CdsSpice软件对线路进行了模拟,得到了同预计相吻合的结果。
关键词 数字集成电路 内部工作电压 存储器 eeprom
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容量可变的嵌入式同步SRAM电路的设计与实现
15
作者 孙燕 颜渝瑜 郑增钰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期194-199,共6页
提出了一种容量可变的嵌入式同步SRAM。通过采用存储阵列的分块、敏感放大器的分级等技术,对电路的结构进行了优化。着重讨论了存储阵列的分块原则,分析了分块的字长、字数对电路的面积、速度、功耗等因素的影响。采用0.6-μ... 提出了一种容量可变的嵌入式同步SRAM。通过采用存储阵列的分块、敏感放大器的分级等技术,对电路的结构进行了优化。着重讨论了存储阵列的分块原则,分析了分块的字长、字数对电路的面积、速度、功耗等因素的影响。采用0.6-μmCMOS工艺,容量为2k×16bit的SRAM可工作在100MHz的频率下,芯片面积为2.53mm×2.75mm,平均功耗为4.7mW/MHz。 展开更多
关键词 数字集成电路 静态随机存储器 分块存储阵列
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一种高速低功耗EPROM读写电路
16
作者 齐家月 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第3期10-13,共4页
本文主要介绍一种高速低功耗EPROM读写电路,包括EPROM单元管、读写电路,以及产生写EPROM所需高电压的高电压发生器,并着重分析了EPROM读写电路低功耗的特点。
关键词 EPROM 数字电路 存储器
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一种全功能2kbE2PROM的研制
17
作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 夏树荣 傅斌 黄卫 许居衍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期426-429,共4页
论述了E2PROM的设计技术,包括单元设计、升压电路设计、存储阵列设计等,然后扼要介绍其工艺过程和关键工艺,最后给出了E2PROM单元和电路的性能。
关键词 E^2PROM 数字集成电路 存储器
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