一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计

通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移量指标的情况下仅需少量的MEMS金属桥就可以实现,工作的可靠性得到提高,未封装MEMS移相器器件的总体尺寸可以减小60%左右,此外由于在“关”态下,金属桥直接贴敷在介质表面上而不会随着外界环境震动,因此移相器的相移精度显著的提高.

Ka波段五位分布式MEMS传输线移相器设计

通过在共面波导上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS移相器。首先给出了5位分布式MEMS移相器的总体结构图,分析了理论参数的设计方法。再采用HFSS建立单个微桥的三维电磁仿真模型,利用仿真得到的S参数拟合微桥的up态和down态电容值并与理论设计电容值对比,确定MEMS桥精确的结构参数。最后采用ADS建立分布式MEMS移相器整体的微波等效电路,仿真得出移相器的性能指标参数。仿真结果表明移相器在35GHz时移相精度小于0.6°,移相器的插入损耗小于0.3dB,回波损耗大于25dB。

一种新型MEMS移相器设计

建立Ka波段分布式MEMS移相器的等效电路,设计基于此模型的分布式MEMS移相器,并对其反射损耗与插入损耗进行优化。仿真结果表明,该模型在4GHz工作带宽内反射损耗小于-15dB,在10GHz带宽内插入损耗大于-2dB,单桥相移达到35°。

一种90°分布式MEMS移相器的设计

RFMEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在"关"态下形成MIM电容的方法,实现了提高"关""开"两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量。在Ka波段下,建立90°分布式MEMS移相器的等效电路,并对其进行了仿真优化,达到要求的技术指标。

射频微机械移相器

MEMS 技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力。利用 RF MEMS 开关制造的 RF MEMS 移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点。本文对国际上 R F M E M S的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了 DMTL 移相器,该移相器在 DC￣30GHz 范围内具有较好的线性度,在20GHz 时相移为0°/11.6° /32.6°/48.5°,反射损失好于-11dB,插损小于 -1.8dB。最后分析了各种移相器的特点和设计、制造的难点,对 MEMS 移相器的发展进行了展望。