提取方式对相继记忆效应的影响

采用学习 -测验 (自由回忆和再认 )研究范式和事件相关电位方法 ,研究图形的相继记忆效应 (Dm效应 )。14名大学生作为研究被试 ,根据其测验成绩将图片分为记住和未记住两类 ,对相应编码过程中的ERPs进行分析。结果表明 :⑴行为上 ,再认的平均击中率显著高于自由回忆 ;⑵脑电活动上 ,在刺激出现后 4 0 0～ 70 0ms编码过程中记住项目的ERPs更正于未记住项目的ERPs;同时两种测验方式Dm效应的脑区分布不同 ,自由回忆主要分布在额区 ,再认主要分布在中央区和顶区 ,且在 5 0 0～ 6 0 0ms自由回忆有左侧优势。这些结果表明 ,两种提取方式对Dm效应有不同的影响 。

12-13岁儿童数字编码与提取的ERP研究

采用学习与再认测验范式,研究儿童数字编码与提取的神经机制。18名12-13岁儿童作为研究被试,要求在测验阶段对数字是否学过进行判断,并记录编码与提取阶段的ERPs,然后考察旧数字是否成功提取在编码阶段形成相应的相继记忆(Dm)效应,同时,考察正确判断的旧数字和新数字在提取阶段形成相应的旧/新(old/new)效应。结果表明,编码阶段,Dm效应出现在400-700ms的枕区、顶区和中央区,正确再认数字的正波波幅明显大于再认错误数字的正波波幅;提取阶段,在400-500ms,枕区和顶区存在显著的old/new效应,在500-700 ms内的顶区和中央区存在显著的old/new效应,尤以中央区为主,正确再认旧数字的正波波幅明显大于正确再认新数字的正波波幅。这些结果说明,认知数字与面孔、图片的Dm效应和old/new效应在时、空均有所不同。

回想、熟悉性与启动在编码过程的认知神经机制

为了探究基于回想和熟悉性的外显记忆及基于启动的内隐记忆在编码阶段的认知加工差异,该文采用事件相关电位(ERP)技术,并结合迫选再认测验和相继记忆(Dm)范式,把学习项目分为四类:随后记住、随后知道、随后启动及随后忘记。结果表明,与启动关联的Dm效应表现在刺激后700 ms开始的中央区,随后启动比随后忘记更为负走向,即负走向的Dm效应;与回想关联的Dm效应表现为从400 ms开始的右前额区正走向Dm效应以及800 ms开始的枕区负走向Dm效应,而与熟悉性关联的Dm效应表现在300~400 ms的前额区及500~600 ms的顶区正走向Dm效应。为了进一步确定这些Dm效应与不同记忆类型的关联,第二个实验中在编码阶段同时设置了干扰任务,以探究编码干扰下Dm效应的变化,结果发现,在编码干扰的作用下,与启动关联的中央区负走向Dm效应仍有存在,而与两种外显记忆:回想和熟悉性关联的Dm效应发生了不同的变化,即在编码干扰下并未发现任何与回想关联的Dm效应,但与熟悉性关联的正走向Dm效应仍有存在,主要表现在600~800 ms的右侧额区。综合这些结果,表明回想、熟悉性与启动在编码阶段的脑机制应该存在着分离的现象。

语文学习困难儿童汉字记忆编码的神经机制研究

采用事件相关电位方法,探讨语文学习困难儿童汉字记忆编码过程的特点。研究发现:语文学习困难组和对照组在编码过程的300-700ms均存在显著的相继记忆效应。语文学习困难组与对照组的Dm效应存在着显著的时间与空间上的差异。在Dm效应出现前,语文学习困难组加工的P2潜伏期显著晚于对照组。同时还发现,不同能力组加工的N2和LPC差异与Dm效应十分相似,对照组比语文学习困难组更正,与Dm效应不同,不同能力组加工的分离明显大于Dm效应的分离,且持续时间更长,一直持续到1000ms之后,远远晚于Dm效应的分离时间,对照组比语文学习困难组有一个更正的晚正成分。语文学习困难组与对照组在加工程度上存在差异,使编码项目的记忆痕迹呈现出不同特点。

内隐与外显记忆编码阶段脑机制的重叠与分离

记忆包括编码和提取两个重要阶段,以往研究多关注内隐和外显记忆在提取阶段的脑机制分离,那二者在编码阶段的脑机制是否不同?为探讨这个问题,该实验采用两阶段的迫选再认方式,把学习项目区分成三类:随后被选择且告知为见过的项目(记住),随后被选择但告知为猜测的项目(启动)以及随后未被选择的项目(忘记)。结果表明,从200ms开始的颞区负走向Dm效应为内隐记忆(启动vs忘记)所特有,反映了对刺激的知觉加工过程,400～500ms前额区正走向的Dm效应为外显记忆(记住vs忘记)所特有,反映了对刺激的精细加工过程,而200～300ms中央区及600ms开始的顶区负走向的Dm效应为两种记忆类型所共有,它们分别反映了对刺激的注意状态以及把编码后的刺激信息登记进相应记忆系统的过程。因此,内隐记忆与外显记忆在编码阶段的脑机制既存在着分离,也存在着重叠的现象。

内隐面孔记忆的编码机制

为了探究内隐面孔再认在记忆形成过程中的认知加工状态,该实验以陌生面孔为刺激,采用事件相关电位（ERP）技术,并结合相继记忆（Dm）范式和迫选再认测验,把学习阶段的面孔分为相继记住、相继启动及相继忘记三类,以相继记住与相继启动的ERP差异为外显记忆Dm效应,以相继启动与相继忘记的差异为内隐记忆的Dm效应。结果表明,内隐记忆表现为400~500 ms额中央区负走向的Dm效应,可能反映了额叶皮层对信息的精加工过程,而外显记忆表现为400 ms开始顶区正走向的Dm效应,可能反映了记忆系统对加工后信息的自动登记过程。由此推测,只有经过额叶加工并被内侧颞叶自动登记的信息,随后才能被有意识地提取出来,而未进入内侧颞叶的信息在随后测验中不可能产生有意识地记忆提取现象,但储存的知觉表征可能触发微弱的记忆痕迹,从而产生内隐面孔记忆。