110 k V以下电压等级电网出线间隔一般按远后备方式配置保护(单套配置),当主保护拒动时远后备保护无选择性切除故障,一定程度上降低了供电可靠性,出线间隔保护测控一体化装置存在异常后保护和远方控制功能同时失去的风险,造成一次设备...110 k V以下电压等级电网出线间隔一般按远后备方式配置保护(单套配置),当主保护拒动时远后备保护无选择性切除故障,一定程度上降低了供电可靠性,出线间隔保护测控一体化装置存在异常后保护和远方控制功能同时失去的风险,造成一次设备较长时间无保护运行。研究了远后备配置方式下提升保护的选择性,并基于现阶段智能变电站的技术,提出一种通过增加智能化接口方式实现保护控制功能的异构双重化配置方案,以较低的成本增加为代价实现中低压保护的冗余配置,使远后备保护具有选择性。展开更多
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶...SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶瓷层的面积和高度对寄生电容的影响,以及采用叠层换流技术优化寄生参数等成果;综述了双面散热结构的缓冲层厚度和形状对散热指标和应力与形变的影响;汇总了功率模块常见失效机理和解决措施,为模块的安全使用提供参考。最后探讨了先进烧结银技术的要求和关键问题,并展望了烧结封装技术和材料的发展方向。展开更多
基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停...基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停、高温空载快速启停、温升方面进行了对比试验分析。测试结果表明,采用自主开发IGBT芯片的IPM完全满足应用需求。该IPM在常温快速启停试验运行50 min后进行保护,保护时间比三菱公司IPM略长;在高温空载快速启停和温升方面,该IPM与三菱公司IPM无明显差异;在高温空载快速启停试验中,稳态下该IPM驱动器最高温度为105℃;温升试验中,采用该IPM驱动电机,电机温升为56℃。展开更多
文摘110 k V以下电压等级电网出线间隔一般按远后备方式配置保护(单套配置),当主保护拒动时远后备保护无选择性切除故障,一定程度上降低了供电可靠性,出线间隔保护测控一体化装置存在异常后保护和远方控制功能同时失去的风险,造成一次设备较长时间无保护运行。研究了远后备配置方式下提升保护的选择性,并基于现阶段智能变电站的技术,提出一种通过增加智能化接口方式实现保护控制功能的异构双重化配置方案,以较低的成本增加为代价实现中低压保护的冗余配置,使远后备保护具有选择性。
文摘基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停、高温空载快速启停、温升方面进行了对比试验分析。测试结果表明,采用自主开发IGBT芯片的IPM完全满足应用需求。该IPM在常温快速启停试验运行50 min后进行保护,保护时间比三菱公司IPM略长;在高温空载快速启停和温升方面,该IPM与三菱公司IPM无明显差异;在高温空载快速启停试验中,稳态下该IPM驱动器最高温度为105℃;温升试验中,采用该IPM驱动电机,电机温升为56℃。