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Preparation of Electrode Array by Electrochemical Etching Based on FEM
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作者 Minghuan WANG Di ZHU Lei WANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期845-849,共5页
Process technology of multiple cylindrical micro-pins by wire-electrical discharge machining (wire-EDM) and electrochemical etching was presented. A row of rectangular micro-columns were machined by wire-EDM and the... Process technology of multiple cylindrical micro-pins by wire-electrical discharge machining (wire-EDM) and electrochemical etching was presented. A row of rectangular micro-columns were machined by wire-EDM and then machined into cylindrical shape by electrochemical etching. However, the shape of the multiple electrodes and the consistent sizes of the electrodes row are not easy to be controlled. In the electrochemical process, the shape of the cathode electrode determines the current density distribution on the anode and so the forming of multiple electrodes. This paper proposes a finite element method (FEM) to accurately optimize the electrode profile. The microelectrodes row with uniformity diameters with size from hundreds micrometers to several decades could be fabricated, and mathematical model controlling the shape and diameter of multiple microelectrodes was provided. Furthermore, a good agreement between experimental and theoretical results was confirmed. 展开更多
关键词 Electrode array electrochemical etching Finite element method (FEM) Micro-electrodes
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基于电化学液膜法腐蚀制备STM钨探针的研究
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作者 马玉麟 丁召 +1 位作者 王一 郭祥 《贵州科学》 2024年第1期90-93,共4页
高质量的探针是保证扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,STM)4K分辨率的关键。为得到原子级别的探针,实验基于电化学腐蚀原理,使用垂直液膜法制备钨探针。在制备过程中通过控制变量法,研究了腐蚀电压、液膜下钨丝长度等参数... 高质量的探针是保证扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,STM)4K分辨率的关键。为得到原子级别的探针,实验基于电化学腐蚀原理,使用垂直液膜法制备钨探针。在制备过程中通过控制变量法,研究了腐蚀电压、液膜下钨丝长度等参数对探针质量的影响,实验发现,当使用2 mol/L的NaOH溶液作为液膜时,最佳腐蚀电压为5 V、最佳液膜下钨丝长度为4 mm。该研究为电化学液膜法腐蚀制备钨探针提供了参考依据。 展开更多
关键词 液膜法 钨探针 电化学腐蚀 STM
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电化学法处理蚀刻液中高氨氮废水研究 被引量:2
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作者 陈媛媛 王宁 +2 位作者 李玉成 李舜尧 李珊珊 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期171-179,共9页
蚀刻液处理过程中所产生的废水残留有高浓度氨氮,其环境污染风险大且难治理.电化学氧化法因其快速、高效的处理效率受到学术界的广泛重视.文章系统地探讨了电化学氧化法去除蚀刻液处理过程中高含氮废水的机理和影响因素.结果表明:针对... 蚀刻液处理过程中所产生的废水残留有高浓度氨氮,其环境污染风险大且难治理.电化学氧化法因其快速、高效的处理效率受到学术界的广泛重视.文章系统地探讨了电化学氧化法去除蚀刻液处理过程中高含氮废水的机理和影响因素.结果表明:针对初始质量浓度为2000 mg·L^(-1)的模拟氨氮废水,电化学氧化法去除其中氨氮的最佳条件为质量浓度ρC l-=6000 mg·L^(-1)、初始pH=9、电流密度60 mA·cm-2,电解3 h后,氨氮去除率达到86.87%;针对实际废水,氨氮去除率可达75.42%.此外,向电化学体系中引入沸石材料后,模拟废水和实际废水中氨氮去除率可分别提高到92.79%和83.17%. 展开更多
关键词 电化学氧化法 蚀刻废液 高浓度氨氮 沸石
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多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
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作者 徐杰 贾伟 +5 位作者 董海亮 贾志刚 李天保 余春燕 张竹霞 许并社 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1405-1413,共9页
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密... 以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 多孔阵列结构 电化学腐蚀 紫外辅助电化学腐蚀 两步腐蚀法 光电性能
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应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究 被引量:5
5
作者 韩建忠 倪国强 +2 位作者 崔梦 胡明 田斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期32-34,共3页
采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5~10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)... 采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5~10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究. 展开更多
关键词 多孔硅 MEMS 制备方法 双槽电化学腐蚀法 化学腐蚀法 单槽电化学腐蚀法 微电子机械系统
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电化学腐蚀法制备微细群圆柱 被引量:4
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作者 王磊 朱荻 +1 位作者 曲宁松 王明环 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2007年第7期856-861,共6页
提出了微细群圆柱结构电化学腐蚀加工法及其形状和尺寸控制方式。根据电化学腐蚀基本原理,通过有限元分析计算群圆柱电化学腐蚀加工过程中的电场分布,优化设计阴极形状。开展了电化学腐蚀法制备微细群圆柱结构的工艺试验,获得了良好的... 提出了微细群圆柱结构电化学腐蚀加工法及其形状和尺寸控制方式。根据电化学腐蚀基本原理,通过有限元分析计算群圆柱电化学腐蚀加工过程中的电场分布,优化设计阴极形状。开展了电化学腐蚀法制备微细群圆柱结构的工艺试验,获得了良好的试验结果。 展开更多
关键词 微细加工 电化学腐蚀 有限元分析 微细群圆柱 阴极形状设计
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双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究 被引量:5
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作者 房振乾 胡明 窦雁巍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期230-232,236,共4页
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参... 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参数,可以制备具有特定孔隙率的多孔硅薄膜,可广泛的应用于微电子机械系统(MEMS)技术中。 展开更多
关键词 多孔硅 双槽电化学腐蚀法 腐蚀条件 掺杂浓度 孔隙率
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铝集流体对锂离子电池正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_2性能的影响 被引量:3
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作者 何湘柱 胡燚 +2 位作者 邓忠德 孔令涌 尚伟丽 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期803-805,858,共4页
用化学蚀刻法制备了微孔铝集流体,通过扫描电镜(SEM)、剥离强度测试、充放电测试和电化学阻抗谱(EIS)测试等方法研究了铝箔表面形貌及其作为正极集流体对锂离子电池正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_2电化学性能的影响。结果表明:... 用化学蚀刻法制备了微孔铝集流体,通过扫描电镜(SEM)、剥离强度测试、充放电测试和电化学阻抗谱(EIS)测试等方法研究了铝箔表面形貌及其作为正极集流体对锂离子电池正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_2电化学性能的影响。结果表明:蚀刻后铝集流体表面为蜂窝状结构,孔径在5~20 mm,其作为正极集流体制备的样品剥离强度显著提高,0.2 C首次充放电比容量分别为198.70和176.80 mAh/g,首次充放电效率为88.98%。8.0 C循环5次后的放电比容量为134.04m Ah/g,容量保持率仍有75.81%,1.0 C循环50次后放电比容量为161.15 mAh/g,容量保持率为95.62%,倍率和循环性能优良。 展开更多
关键词 化学蚀刻法 微孔铝集流体 锂离子电池 LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2 电化学性能
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高分子基纳孔材料的制备方法及其研究进展
9
作者 马素德 王岩 钟力生 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期40-42,116,共4页
对近10余年来全球范围内高分子基纳孔材料的制备方法及相应性能进行了分析。将该类材料的制备大致分作5类:二次沉积法、溶胶-凝胶法、热分解法、超临界发泡法、电化学刻蚀法。对未来高分子材料中纳孔结构引入方法的研究进行了展望。
关键词 二次沉积法 溶胶-凝胶法 热分解法 超临界发泡法 电化学刻蚀法
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多孔硅制备中醇对形貌的影响
10
作者 袁明辉 刘顺顺 +1 位作者 赵堤 张益彬 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第4期505-507,共3页
实验研究了无光照情况下多孔硅制备中不同单羟基正醇对形貌的影响。实验结果表明,随着醇碳链的增长,多孔硅孔密度减小,枝杈变长,枝杈的尖端变得尖锐。在孔的生长过程中,十字枝杈首先沿着晶格方向快速生长,然后晶格方向的生长速率减小,... 实验研究了无光照情况下多孔硅制备中不同单羟基正醇对形貌的影响。实验结果表明,随着醇碳链的增长,多孔硅孔密度减小,枝杈变长,枝杈的尖端变得尖锐。在孔的生长过程中,十字枝杈首先沿着晶格方向快速生长,然后晶格方向的生长速率减小,而非晶格方向则持续生长直到空穴耗尽。本实验增进了对硅溶解动力学中醇作用机理的理解。 展开更多
关键词 多孔硅 电化学腐蚀法 单羟基正醇
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用于MEMS封装的纳米多孔硅气敏特性分析
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作者 许高斌 杨业汕 +1 位作者 马渊明 陈兴 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第2期89-93,共5页
摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表... 摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表明,在不同的电流密度腐蚀下,孔径都在10nm左右;随着电流密度的增加,多孔硅的孔深和孔隙率增大且腐蚀的均匀性较好。当电流密度大于40mA/cm2后,腐蚀的均匀性开始变差,灵敏度波动较大。通过对多孔硅气体吸附灵敏度的分析,在电流密度为40mA/cm^2时,对各浓度的乙醇气体的灵敏度相对稳定,均值达到2.24X10^6kΩ,因此该类样品更适用于MEMS高真空封装的纳米吸气剂。 展开更多
关键词 多孔硅(PS) 纳米吸气剂 电化学腐蚀法 气敏特性 灵敏度
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一维纳米硅光子晶体的制备与优化
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作者 钟福如 周涛 贾振红 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期994-997,共4页
采用双槽电化学腐蚀法制备了纳米多孔硅,主要研究了腐蚀时间和腐蚀电流对重掺杂p型(100)硅衬底上制备的多孔硅层有效光学厚度的影响,采用U-4100光谱仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术对所制备的多孔硅光子晶体的结构和有效光学厚度... 采用双槽电化学腐蚀法制备了纳米多孔硅,主要研究了腐蚀时间和腐蚀电流对重掺杂p型(100)硅衬底上制备的多孔硅层有效光学厚度的影响,采用U-4100光谱仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术对所制备的多孔硅光子晶体的结构和有效光学厚度进行了分析表征。研究结果表明,通过合理地选择腐蚀时间和腐蚀电流,可以比较精确地制备特定有效光学厚度的多孔硅薄膜,此方法可广泛应用于纳米多孔硅光子晶体的制备中。 展开更多
关键词 纳米硅 双槽电化学腐蚀 腐蚀条件 有效光学厚度
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电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术
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作者 万小军 《湖南城市学院学报(自然科学版)》 CAS 2010年第1期47-49,共3页
基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数:脉冲周期为5 ms,占空比为5/10和上下各6个周期的Bragg镜面层,得到了半峰宽为6 nm的窄峰发射的多孔硅微腔.并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对... 基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数:脉冲周期为5 ms,占空比为5/10和上下各6个周期的Bragg镜面层,得到了半峰宽为6 nm的窄峰发射的多孔硅微腔.并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀(电流腐蚀),也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀(浸泡腐蚀). 展开更多
关键词 多孔硅 微腔 电化学脉冲腐蚀方法
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微细电极在线制备技术的研究进展 被引量:7
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作者 郭帅 罗红平 郭钟宁 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2011年第8期73-78,共6页
介绍了反拷块法、WEDG法、电化学腐蚀法、EEDG法等几种微细电极的在线制备方法、基本原理、研究现状及最新进展,为实际加工轴类工件及制备工具电极等提供了有益参考。
关键词 反拷块法 WEDG法 电化学腐蚀法 EEDG法
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应用双槽电化学腐蚀法制备用于蛋白质芯片构建的多孔硅基底 被引量:1
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作者 纪建明 何秀霞 +1 位作者 段潜 王振新 《分析化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第5期698-703,共6页
通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12 mm×58 mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其表面修饰环氧基团后能作为一种基底材料用于蛋白质微阵列芯片的构建。结果表明,兔抗小鼠IgG抗体检... 通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12 mm×58 mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其表面修饰环氧基团后能作为一种基底材料用于蛋白质微阵列芯片的构建。结果表明,兔抗小鼠IgG抗体检测的灵敏度与多孔硅基底制备时所采用的腐蚀电流密度、腐蚀时间、氢氟酸浓度有关。当电流密度为500 mA/cm2,腐蚀时间为450 s,HF浓度为25%时,IgG在多孔硅基底上的固定量最大,IgG芯片对兔抗小鼠IgG抗体的检出限为10μg/L,检测线性范围为0.32~10.0 mg/L。本方法制备的大面积均匀的多孔硅基底能够应用于蛋白质芯片的制作,并具有制备工艺简单,蛋白质固定量大等优点。 展开更多
关键词 双槽电化学腐蚀法 多孔硅基底 蛋白质芯片 抗体检测
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电化学刻蚀法制备铝合金超疏水表面及其润湿性转变 被引量:14
16
作者 赵树国 陈阳 +2 位作者 马宁 李景春 单宝峰 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期115-120,共6页
目的通过简易环保的方法在铝合金基体上制备超疏水表面。方法采用电化学刻蚀和空气中保存法在铝合金基体上制备超疏水表面,用扫描电子显微镜、粗糙度测量仪和光学接触角测量仪对所得样品的微观形貌、表面粗糙度和润湿性进行分析。结果... 目的通过简易环保的方法在铝合金基体上制备超疏水表面。方法采用电化学刻蚀和空气中保存法在铝合金基体上制备超疏水表面,用扫描电子显微镜、粗糙度测量仪和光学接触角测量仪对所得样品的微观形貌、表面粗糙度和润湿性进行分析。结果水滴在铝合金表面的接触角随着保存时间的增加而增大,电化学刻蚀所得超亲水表面逐渐表现出超疏水特性。12 d后表面趋于稳定,水滴在铝合金表面的接触角和滚动角分别为(152.3±4.5)°和(6.4±2.2)°。随着电化学刻蚀时间的增加,铝合金表面的润湿性减小。热处理可以使超疏水表面转为超亲水表面,在空气中保存后表面又恢复疏水性。结论试验所用中性环保的NaCl溶液作为电解液,极大地降低了试验对人体和环境的危害。并未使用有害的二次化学涂层作为表面能修饰材料,提高了试验的安全性和超疏水表面的稳定性。通过此简单环保的电化学刻蚀和空气中保存的方法成功地在铝合金基体上制备出了超疏水表面,所得表面展现出良好的疏水特性。 展开更多
关键词 铝合金 超疏水表面 电化学刻蚀 保存法 加热处理 环保
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基于纳米针尖反射靶的X射线显微系统
17
作者 宋健 牛耕 +3 位作者 刘俊标 赵伟霞 马玉田 韩立 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第4期293-297,共5页
本文利用电化学腐蚀方法制备出曲率半径<100 nm的钨针尖,并在FEI Quantum 600型扫描电镜(SEM)中作为反射靶材以搭建微焦点X射线显微系统。通过SEM发射电子束轰击纳米钨针尖,以减少电子束和靶材的物理作用区域,进而减小X射线源的光斑... 本文利用电化学腐蚀方法制备出曲率半径<100 nm的钨针尖,并在FEI Quantum 600型扫描电镜(SEM)中作为反射靶材以搭建微焦点X射线显微系统。通过SEM发射电子束轰击纳米钨针尖,以减少电子束和靶材的物理作用区域,进而减小X射线源的光斑尺寸,实现高分辨率的X射线显微成像。采用线对卡来评价系统的最佳成像分辨率,实验结果表明:系统在加速电压30 k V、电子束束流120 n A、SEM的工作距离5 mm、放大倍数为100倍、探测器采集时间为180 s的条件下,可以获得优于1μm的分辨率图像。 展开更多
关键词 纳米针尖制备 低能X射线显微技术 无损检测 电化学腐蚀法
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二维MXenes材料的制备工艺研究现状 被引量:3
18
作者 秦琴 杨雪 +4 位作者 钱泽 费培恩 易清阳 孙浩 李立强 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期47-54,共8页
MXenes是一种电阻很小且导电能力很强的二维晶体材料,在电池、传感器、电磁屏蔽、医疗方面都具有很大的应用潜能。为了研发制备更多的MXenes,国内外学者开展了许多制备工艺研究和应用的探索。针对MXenes独特的层次结构、化学组成、物理... MXenes是一种电阻很小且导电能力很强的二维晶体材料,在电池、传感器、电磁屏蔽、医疗方面都具有很大的应用潜能。为了研发制备更多的MXenes,国内外学者开展了许多制备工艺研究和应用的探索。针对MXenes独特的层次结构、化学组成、物理性能,综述了MXenes制备工艺的研究进展,对比分析了每种制备方法的优点和需要进一步解决的问题。指出:在未来的研究中,氟化氢刻蚀法的研究重点是如何提高MXenes的电容性和插层问题;原位刻蚀法对刻蚀时间、温度、环境的要求较高,需要攻克的难点是这些因素的影响机理以及相应的改善措施;电化学腐蚀法制备的MXenes中没有—F官能团,但是研究的重点将是对沉淀物的分离和净化;熔融盐法制备MXenes正是起步阶段,需要进一步的开发和研究。 展开更多
关键词 MXenes 选择性刻蚀法 电化学刻蚀法 熔盐法 二维材料
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光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响
19
作者 吴伯涛 曹林洪 +1 位作者 周秀文 湛志强 《广州化工》 CAS 2020年第8期45-48,61,共5页
采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加... 采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。 展开更多
关键词 光电化学腐蚀法 多孔硅阵列 工艺优化 结构规整
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Using AFM to Determine the Porosity in Porous Silicon 被引量:1
20
作者 Faten Alfeel Fowzi Awad Ibrahim Alghoraibi Fadi Qamar 《材料科学与工程(中英文A版)》 2012年第9期579-583,共5页
关键词 原子力显微镜 多孔硅结构 孔隙率 孔隙度指数 电化学蚀刻 重力技术 电流密度 光学性质
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