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ASYMPTOTIC BEHAVIOR OF THE DRIFT-DIFFUSION SEMICONDUCTOR EQUATIONS 被引量:3
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作者 郭秀兰 李开泰 《Acta Mathematica Scientia》 SCIE CSCD 2004年第3期385-394,共10页
This paper is devoted to the long time behavior for the Drift-diffusion semiconductor equations. It is proved that the dynamical system has a compact, connected and maximal attractor when the mobilities are constants ... This paper is devoted to the long time behavior for the Drift-diffusion semiconductor equations. It is proved that the dynamical system has a compact, connected and maximal attractor when the mobilities are constants and generation-recombination term is the Auger model; as well as the semigroup S(t) denned by the solutions map is differential. Moreover the upper bound of Hausdorff dimension for the attractor is given. 展开更多
关键词 drift-diffusion model auger term attractor housdorff dimensions
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半导体漂移-扩散模型方程解的渐近性 被引量:1
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作者 邢家省 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第3期1-6,共6页
研究半导体器件的漂移 -扩散模型方程解的渐近性 .设迁移率是常数 ,复合 -产生率为 Auger项 ,在这种情形下 ,证明动力系统有一个紧、连通、最大吸引子 ,它吸收在 L∞ 模下的有界集 .然后 ,证明解半群映射的可微性 ,并给出吸引子的
关键词 半导体 漂移-扩散模型 吸引子 迁移率 渐近性
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