0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器

设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。

一种线性化低噪声放大器的设计

通过在共源共栅电路中加入线性辅助电路,利用线性化补偿技术设计了一个位于雷达接收机前端的高线性低噪声放大器,在保持其他指标基本不变的情况下,线性度提高约17.5dB;该电路采用CMOS0.18μm工艺设计,电源电压1.8V,信号频率在2.9～3.6GHz,仿真结果是:增益大于10dB,噪声系数(NF)低于1.35dB,三阶输入截点功率(ⅡP3)为17.48dBm,消耗直流电流13.24mA。

一种基于CMOS工艺的差分低噪声放大器设计

研究低噪声放大器(LNA)的结构以及性能参数,采用电路仿真软件ADS(Advanced Design System)设计一个基于台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺的2.5GHz差分低噪声放大器。通过在输出端增加共源极的优化方法,对其进行电路结构的改进,得到一个高性能的实用低噪声放大器,并利用版图软件CadenceVirtuoso对其实现版图设计。

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz^860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB^18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。

一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。

基于矢量网络分析仪的低噪声放大器测试系统

本文主要介绍了一种基于矢量网络分析仪的低噪声放大器测试系统,借助矢量网络分析仪和直流电源即可准确高效地测试低噪声放大器的线性增益、输入/输出驻波比、工作电流、1 d B压缩功率、噪声系数等参数,并且编写了一套自动测试程序进行数据记录和处理。该系统相比于传统的测试系统,在精度、效率与集成度上均有较大提升。

T/R组件中高线性度低噪声放大器的设计

利用线性化补偿技术设计了一个位于接收前端T/R组件中的高线性低噪声放大器,通过在常用共源共栅电路中加入线性辅助电路实现。该电路在其他指标基本不变的情况下,线性度提高约15 dB。采用CMOS 0.18μm工艺设计该电路。

0.25W射频功率放大器

安华高的MGA-30489是一款0.25瓦高动态范围的驱动放大MMIC,它采用SOT-89的标准塑封。拥有极好的输入输出回损和良好的线性度。芯片很容易匹配,并获得最佳的功率和线性。