铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存...铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存储器领域最具潜力的产品之一。首先设计了一种1 kbit铁电存储芯片的整体架构,其次对其不同的工作时序进行了分析,再次对铁电存储器外围译码电路、驱动电路以及灵敏放大电路等电路模块进行了设计,每个设计过程包括电路设计、电路仿真和版图设计。由仿真结果可以看出,电路的选取均适用于铁电存储器的要求,为以后大容量、产品化的铁电存储器设计起到了基础性的指导作用。展开更多
为满足现代通信系统和混合信号领域的要求,本文设计了一款14位、200MSPS的D/A转换器。通过对线性度、动态性能、功耗和面积的折中考虑并对二进制加权电流源与单位电流源的优化组合,设计采用了三段式电流舵结构。文中重点讨论了关键电路...为满足现代通信系统和混合信号领域的要求,本文设计了一款14位、200MSPS的D/A转换器。通过对线性度、动态性能、功耗和面积的折中考虑并对二进制加权电流源与单位电流源的优化组合,设计采用了三段式电流舵结构。文中重点讨论了关键电路的设计,并基于SMIC 0.35μm Mixed Signal 2P3M工艺模型对电路进行了仿真验证。仿真结果表明D/A转换器的非线性误差和无杂散动态范围都达到了设计指标的要求。展开更多
文摘铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存储器领域最具潜力的产品之一。首先设计了一种1 kbit铁电存储芯片的整体架构,其次对其不同的工作时序进行了分析,再次对铁电存储器外围译码电路、驱动电路以及灵敏放大电路等电路模块进行了设计,每个设计过程包括电路设计、电路仿真和版图设计。由仿真结果可以看出,电路的选取均适用于铁电存储器的要求,为以后大容量、产品化的铁电存储器设计起到了基础性的指导作用。
文摘为满足现代通信系统和混合信号领域的要求,本文设计了一款14位、200MSPS的D/A转换器。通过对线性度、动态性能、功耗和面积的折中考虑并对二进制加权电流源与单位电流源的优化组合,设计采用了三段式电流舵结构。文中重点讨论了关键电路的设计,并基于SMIC 0.35μm Mixed Signal 2P3M工艺模型对电路进行了仿真验证。仿真结果表明D/A转换器的非线性误差和无杂散动态范围都达到了设计指标的要求。