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BEOL工艺统合Integration——low-k Dual/Damascene的形成
1
作者
LI-Hung Chen
Takashi Hayakawa
+1 位作者
Kaoru Maekawa
Kouichiro Inazawa
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期77-78,73,共3页
关键词
BEOL工艺
dual
/
damascene
LOW-K材料
SOD沉淀
蚀刻技术
下载PDF
职称材料
题名
BEOL工艺统合Integration——low-k Dual/Damascene的形成
1
作者
LI-Hung Chen
Takashi Hayakawa
Kaoru Maekawa
Kouichiro Inazawa
机构
Tokyo Electron ShanghaiLtd
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期77-78,73,共3页
关键词
BEOL工艺
dual
/
damascene
LOW-K材料
SOD沉淀
蚀刻技术
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
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1
BEOL工艺统合Integration——low-k Dual/Damascene的形成
LI-Hung Chen
Takashi Hayakawa
Kaoru Maekawa
Kouichiro Inazawa
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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