费-托合成Fe1-xO基和Fe3O4基熔铁催化剂比较

在H2与CO的摩尔比2.0、温度553～593 K、压力1.4MPa,空速12600h-1的条件下,研究了Fe1-xO基和Fe3O4基熔铁催化剂的费-托合成反应催化性能,结果表明,Fe1-xO基熔铁催化剂的活性温度低于Fe3O4基熔铁催化剂,水汽变换反应的相对活性低于Fe3O4基催化剂.Fe1-xO基催化剂比Fe3O4基催化剂降低了蜡的选择性,特别是降低了有机含氧物的选择性,而提高了汽、柴油的选择性.Fe1-xO基催化剂可以比Fe3O4基催化剂多得到13%的C5+重质烃,而Fe3O4基熔铁催化剂比Fe1-xO基熔铁催化剂更适合低碳醇的合成.

DyFe_xCo_(1-x)O_(3-δ)纳米晶的制备及光催化性能研究

采用 Sol- Gel法制备了 Dy Fex Co1- x O3 -δ稀土复合氧化物纳米晶 ,用 SEM观察了其微粒的大小及形貌 ,用 XRD进行了物相及烧成温度分析 .结果表明 :80 0℃下热处理 2 h,可得纯相钙钛矿型结构 .并以其为催化剂对水溶性染料酸性红 3 B进行光催化降解 ,发现这类化合物具有光催化性能 ,其活性大小与纳米晶粒子的大小及 B位离子的性质及掺杂离子的配比有关 .

溶胶-凝胶法合成超细Li_(2+x)RE_xSi_(1-x)O_3及其离子导电性

用溶胶 凝胶法合成了Li2 +xRExSi1 -xO3(RE =Pr ,Nd ,Sm ,Gd ;x =0～ 0 15 ) ,用DTA TG ,XRD ,TEM及交流阻抗等技术对样品的结构、形貌、粒径及离子导电性等进行了观察和测试。其固溶体形成范围是 0 <x≤ 0 0 9;平均粒径为 10 0nm ;在固溶体范围内 ,样品电导率随掺杂量增加而增高 ;与传统的固相反应合成方法相比 ,该法可使样品的生成温度降低 ,离子导电性提高。

湿化学工艺SrNb_xTi_(1-x)O_3导电薄膜的制备及性能

采用湿化学工艺在硅衬底上成功地制备了结构致密、均匀且无龟裂的SrNb_xTi_(1-x)O_3薄膜。金属盐的冰醋酸溶液经回流再加入乙酸酐除去无机阴离子和结晶水,形成的金属醋酸盐与适当的络合剂形成的多配体络合物经部分水解生成的羟基化合物M(OH)_(n-x)(L)_x(L=C_4H_6O_6或AcAc,M=Sr或Ti或Nb)经羟基聚合形成SrNb_x-Ti_(1-x)O_3簇状溶胶。丙三醇抑制了羟基金属过度聚合,甲基纤维素(MCL)使SrNb_xTi_(1-x)O溶胶具有网状结构。SrNb_(0.1)Ti_(0.9)O_3(SNTO)凝胶薄膜经过650～750℃/30min退火形成假立方钙钛矿结构。应用XRD、SEM和TEM对薄膜结构和形貌进行表征。室温下SNTO薄膜的电阻率为54μΩ·cm,而在160K到室温之间薄膜电阻率随温度的变化遵从ρ=ρ_0+AT^2。分析结果表明:Nb^(5+)离子的施主掺杂改变了禁带宽度,实现了SrTiO_3的n-型半导体化。SNTO(100)/Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的择优取向明显,较之于Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的PZT薄膜有良好的铁电性,其剩余极化强度也比PZT/Pt(111)/Ti/SiO_2/Si的大。

溶胶凝胶法制备超细Li_(2+x)Sm_xSi_(1-x)O_3及其离子导电性研究

以无机盐和金属醇盐为前驱物 ,用溶胶 凝胶法制备了超细Li2 +xSmxSi1-xO3(x =0～ 0 0 9) ,用DTA、XRD、TEM及交流阻抗等技术对样品的结构、形貌、粒径及离子导电性等进行了观察和测试。其固溶体形成范围是 0 <x≤ 0 0 9;平均粒径为 80nm ;在固溶体范围内 ,样品电导率随掺杂量增加而增高 ;与传统的固相合成方法相比 ,该法可使样品的生成温度降低 ,离子导电性得到提高。

纳米级Li_(2+x)La_xSi_(1-x)O_3的溶胶-凝胶法合成及电导性能

以无机盐和金属醇盐为前驱物，用溶胶－凝胶法制备了 Ｌｉ２＋ｘＬａｘＳｉ１－ｘＯ３（ｘ＝０－０．１５），用 ＩＲ， ＤＴＡ－ＴＧ， ＸＲＤ，ＴＥＭ及交流阻抗等技术对样品的结构、组成相的形貌、粒径及烧结体离子导电性等进行了观测．结果表明：其固溶体形成 范围是 ０＜ ｘ≤０．０７；平均粒径为 ７０ｎｍ；在固溶体范围内，样品电导率随掺杂量增加而增高；与传统的固相合成方法相比，该 法可使样品的生成温度降低，离子导电性得到提高．

溶胶-凝胶法SrIn_xTi_(1-x)O_3薄膜的制备及表征

以Sr（OOCCH3）2·H2O,In（NO3）3.41/2H2O及Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3（SITO）薄膜。SITO凝胶薄膜经过575~725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5~20 h。

SrFe_xSn_(1-x)O_(3-δ)陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。

5V锂电池正极材料的制备及其性能研究

通过溶胶-凝胶法，采用不同的活络合剂合成了锂离子电池正极材料LiNi0.5Mn1.5sO4，对产物进行了XRD、SEM表征和电化学性能测试，结果表明产物都具有Fd3m型尖晶石结构；样品TH—A粒径为1～3μm，分布均匀。而样品TH—B的粒径分布较宽；在1C充放电测试下，循环100次之后样品TH—A的容量保持率高达96．4％（样品TH—B为60％）．说明TH—A比TH—B具有更好的电化学性能。

倒置QLED器件中氧化锌电子传输层的镁掺杂效应

基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规律和机制。镁离子掺杂可以在一定范围内线性调控电子传输层的光学带隙,同时有效改善薄膜的表面形貌,从而提高与发光层之间的界面质量。实验发现,相对于未掺杂的ZnO薄膜,Mg0.09Zn0.91O薄膜的表面粗糙度和表面能显著下降,光学带隙则提高了0.2 eV,相应的以电子漂移为主的电导率显著下降。进一步通过调控复合发光层中的主客体比例,可以调节空穴注入比,改善载流子传输的平衡性。采用Mg0.09Zn0.91O薄膜作为电子传输层的主客体复合发光层具有更高的荧光量子效率和PL荧光寿命。研究为开发相应的倒置结构电致发光器件提供了坚实的实验依据。