双层多晶FLOTOX E^2PROM的阈值电压退化特性

基于FLOTOXE2 PROM结构 ,分析了影响FLOTOXE2 PROM可靠性的主要因素 ,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿 (TDDB)等 ,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关 .实验表明 ,擦 /写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOXE2 PROM阈值电压的变化 ,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷 (陷阱电荷 )是引起FLOTOXE2 PROM阈值电压退化的主要原因 ,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少 .

串行E^2PROM芯片93C46N在定时抄表器中的应用

介绍串行E^2PROM芯片93C46N作为电卡在定时抄表器中的应用,给出其与单片机的接口电路及编程方法.

串行E^2PROM与单片机AT89C51的接口技术及其在系统中的应用

介绍串行E^2PROM与单片机AT89C51的连接,AT89C51对E^2PROM的读写操作方法、操作时序、程序流程及典型的程序举例.最后提出了应用E^2PROM在智能仪器中实现学习功能的新方法.

便携式E^2PROM读写器的设计

以计算机并行口为接口 ,结合 MAX85 6 ,提出了一种便携式的 E2 PROM读写器的设计。该设计具有功能丰富、操作方便、硬件电路简单、体积小和成本低的特点。

大容量串行E^2PROM AT24C512及其应用

AT24C512是具有I^2C总线的E^2PROM,该电路具有存储容量大、体积小、功耗低、硬件接口简单的特点。文中给出该电路的性能特点、引脚功能及读写时序,并给出与AT89C2051单片机接口的硬件电路及相应的读写程序。

IC卡E^2PROM单元写/擦特性的测试与研究

针对金卡工程中EEPROM单元的可靠性问题，本文给出了可以对其编程窗口进行测试和分析的测试系统的软、硬件描述。根据对测试结果的分析与讨论，得到了最佳的单元尺寸和编程条件。

基于E^2PROM和MODEM的远程通信系统设计

该文介绍了一种以单片机和E2PROM为基础的二次仪表远程通信方案,利用MODEM实现了低成本的远距离数据传输。

串行E^2PROM AT93C46在单片机上的扩展

介绍了串行Ｅ２ＰＲＯＭＡＴ９３Ｃ４６芯片在单片机上的应用及编程方法。

利用UART扩展大容量具有SPI接口的快速串行E^2PROM的方法

借助于内置开关功能的RS - 2 32接口LT1180A ,巧妙利用UART方式 0扩展基于SPI总线接口的大容量快速E2 PROM是一种简单有效的方法。文中以具有SPI接口的快速串行E2 PROMX2 5F12 8为例 ,阐述了利用UART扩展SPI的必要性和可行性 ,给出了硬件连接图。经过时序分析得出 ,进行适当的数据排序变换 ,可用UART方式 0有效地模拟SPI对快速E2 PROM进行读写操作。着重介绍了扩展SPI的硬软件设计方法。实际应用表明 ,该方法经济、可靠、实用。

基于I^2C总线的串行E^2PROM及其应用

介绍了I2C总线及其总线器件24C系列串行E2PROM的基本原理,给出了AT24C64与MCS51单片机的接口及应用程序.

单片机模拟I^2C总线实现串行E^2PROM的读写

在单片机系统中广泛使用Ｅ２ＰＲＯＭ 作为数据存储器。本文简要介绍了Ｉ２Ｃ 总线及ＡＴ２４Ｃ 系列串行Ｅ２ＰＲＯＭ， 给出了８０３１ 单片机与串行Ｅ２ＰＲＯＭ 通讯的硬软件实现方法和实用的读／

二线串行E^2PROM的原理及其与AT89C2051的接口和编程

介绍了二线串行E^2PROM的基本原理及二线制总线的主要操作,并给出了串行E^2PROM与AT89C2051单片机的接口电路和字节操作的应用程序。

E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求。

E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制

提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ（沟道内平均杂质浓度）由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。经工艺实验得到的两条控制曲线均可将ＶＴＤ控制在－２．５～－３．５Ｖ之间。

一种串行E^2PROM的高可靠性应用和编程技术

24C××系列串行E^2PROM的应用方法,特别在提高可靠性和延长工作寿命两方面提出了有效的解决方案,并给出了编程实例。

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压（ＶＰＴ），用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低压区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺可大幅度提高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；

可编程看门狗监控E^2PROM在GXM305多用校验仪中的应用

本文简明扼要地介绍了可编程看门狗监控E2PROM芯片X25045的功能和工作原理,并以GXM305多用校验仪中三相电压、电流测量为实例,给出了X25045与AT89C52单片机的硬件连接电路及相关的软件处理程序。

E^2PROM芯片X25045在IC卡电度表中的应用

本文介绍了串行E2PROM芯片X25045作为数据存储器在IC卡预收费电度表中的应用，并给出其与单片机的接口电路及编程实例。

24LC32串行E^2PROM在96单片机系统中的应用

本文介绍了串行Ｅ２ＰＲＯＭ２４ＬＣ３２的基本情况及Ｉ２Ｃ总线规程，介绍了２４ＬＣ３２在９６单片机系统中应用时的接口方式，同时也提供了接口程序。

E^2PROM器件在网络控制洗衣机中的应用

研究了E2 PROM器件在网络控制洗衣机控制器中的应用 .该控制器选用CAT2 4C0 2芯片作为信息暂存单元的核心器件 ,并作为主器件 ,在主发送方式与主接收方式下 ,通过与CAT2 4C0 2芯片进行数据存取实现控制功能 .实践证明 ,E2 PROM的应用可延长洗衣机控制器的寿命 。