高效率E类射频功率放大器

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。

短波跨倍频程超宽带E类功率放大器设计

本文基于CREE公司GaN HEMT功放管CGH40025F设计了一款短波跨倍频程超宽带E类功率放大器。实测结果表明其在1.6~175MHz宽带范围内其PAE均在60%以上,最大可达74.3%;输出功率在43.2~44.09dBm;增益均大于15dB,且其增益平坦度在±1dB以内。可较好的覆盖整个短波通信频段,在不依赖于中继基站、远距离短波通信系统的应用中具有十分重要的价值。