一种扫描电镜二次电子探测器闪烁体的制备方法

扫描电镜(SEM)中的二次电子探测器闪烁体是决定SEM图像质量的关键部件。目前广泛使用P47荧光粉制作SEM闪烁体,由于制作工艺麻烦,保存性能较差,而且闪烁体的发光效率受荧光粉粉层沉积厚度的直接影响,实验室制作较为困难。ST—401塑料闪烁体是在塑料中加入短余辉(5μS)荧光粉。

基于微通道板的中子探测器γ射线灵敏度

研制了一种基于微通道板的超快脉冲中子探测器,对其γ射线灵敏度进行了理论和实验研究。建立了探测器的γ射线灵敏度理论计算模型,利用蒙特卡罗方法模拟计算了不同能量γ射线在不同厚度聚乙烯靶中产生的出射电子能谱和出射角度分布,并结合经验公式计算了单个电子在微通道板(MCP)孔道中产生的二次电子产额,最后得到了探测器的γ射线灵敏度,结果表明当聚乙烯靶厚度大于某一值时,γ射线灵敏度基本相同。利用西北核技术研究所的标准γ射线放射源对探测器的γ射线灵敏度进行了实验标定,实验结果与理论计算结果一致。

背散射探测器在场发射扫描电镜纳米尺度高分辨表面分析中的应用

以JSM-7900F型场发射扫描电子显微镜为例,讨论二次电子和背散射电子在形貌表征中的应用,利用该仪器配备的3种探头,通过优化实验条件,对具有纳米尺度的样品进行形貌观察,对比分析成像效果,并讨论各实验条件的影响因素.结果表明,利用背散射探测器结合电子束减速模式可对玻璃表面几纳米的颗粒成像,图像信噪比较高,成像效果优于高分辨模式即高位电子探头,拓展了背散射电子在高分辨成像中的应用.

介质型脉冲高能中子探测器

首次报道一种基于反冲质子法和高速带电粒子在物质表面引起二次电子发射的高能中子探测方法 ,研制成功的新一代强流脉冲高能中子探测器 ,即介质型脉冲高能中子探测器 .与传统的强流脉冲中子探测器相比 ,该探测器对中子的探测及信号的传输过程是在介质中完成的 ,因而不需要真空和高压也可以正常工作 ,并具有多项优异的物理性能 .该探测器的输出信号来自于高能中子在聚乙烯转换靶产生的高能反冲质子和这些质子穿越电荷收集极表面时产生的部分二次电子 .选择适当的卡阈吸收片和电荷收集极材料 。

生物样品的环境扫描电镜观察

用环境扫描电镜观察动物、植物、微生物等生物样品。通过对环境条件的比较 ,发现样品温度 4～ 6℃ ,样品室气压 6 93× 10 2 ～ 7 86× 10 2 Pa,相对湿度 85%是合适的环境条件 ,在这一条件下 ,多数生物样品既不发生表面凝聚水滴也不发生脱水 ,而且死后变化小 ,没有充放电现象 ,能获得满意的结果。

扫描电镜条件对不导电样品表面荷电现象的影响

利用扫描电镜对不锈钢板与玻璃板激光焊接样品不经镀膜直接进行显微观察。扫描电镜分别梯度设置一系列一次电子加速电压与E-T二次电子探测器前端栅网上的一系列偏压,观察样品表面荷电现象的变化。结果表明:在同样的加速电压下,上述栅网偏压越低,样品表面的荷电现象越弱,当栅网偏压降低至足够低时荷电现象消失。另外,在加速电压越低时,刚好足够令荷电现象消失的栅网偏压越高,此时电镜条件有利于图像质量的改善。对上述栅网偏压对荷电现象的影响机理给出了解释——栅网偏压影响探测器接收二次电子与背散射电子数量的比例,进而影响荷电现象的轻重。

条纹相机中栅网的特性研究

栅网是条纹相机等电子光学仪器的重要组成部件。通过使用有限差分法对栅网的丝径、网孔进行精细建模,分析了栅网对均匀电场的扰动以及对电子运动的子透镜效应;使用电子碰撞自由程Gryzinski理论研究了电子和栅网碰撞的二次电子发射问题。结果发现,对于条纹相机中常用的10,33,50line/mm栅网,其结构参数的不连续性对均匀电场的扰动分别为0.31%、0.07%、0.04%;对于入射能量为15keV的电子,栅网金属原子Ni、Cr和Cu的非弹性散射碰撞自由程分别为6.85,10.34,7.25nm,碰撞很难产生二次电子发射。研究结果对电子光学仪器的设计和栅网参数的优化具有参考意义。