基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器

单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值.

一种基于波导E-T结的新型功分器的设计方法

针对传统功分器的不足,提出了一种改进型波导E-T结功分器。通过三维电磁仿真软件CST对其进行了建模仿真,得到一个合理的设计方案,该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点。加工的实物经测试在12~17 GHz的频率范围内,该功分器的插入损耗〈0.12 d B,回波损耗〉18 d B,隔离度〉15 d B,具有良好的工程应用价值。

EHF频段40 W氮化镓发射机设计

针对砷化镓发射机体积大的问题,基于氮化镓功率放大器芯片,研制了一款EHF频段小型化40 W发射机。在改进型波导E-T结和波导-微带探针过渡结构基础上,提出了一种新型四路功率分配/合成结构。该结构具有体积小、插入损耗低和输入输出驻波好的优点。经测试,发射机在43.5~45.5 GHz频率范围内输出功率大于40 W。发射机机箱采用全密封结构,可直接安装于室外天线上,合理的机箱结构及热设计可确保发射机长期可靠地工作。

一种新型Ka频段高功率容量二次谐波抑制滤波器

描述了一种基于波导E-T结和金属加载滤波器相结合的高功率容量二次谐波抑制滤波器。为了提高滤波器的功率容量,射频功率通过E-T结进行二等分,二等分的射频信号经过两路结构相同的金属加载滤波器进行频率特性选择,然后通过波导E-T进行功率合成输出。此结构可以将二次谐波抑制滤波器的通过功率提高到原来的2倍。若通过功率仍不能满足要求,可以通过波导E-T结多阶级联进一步扩展通过功率。通过3D高频电磁仿真软件HFSS进行仿真,在25.25 GHz~27.5 GHz频率范围内插入损耗小于0.6 dB,回波损耗大于20 dB。并通过了连续波60 W的功率验证,具有良好的工程应用价值。