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单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
被引量:
1
1
作者
靳钊
乔丽萍
+2 位作者
郭晨
王江安
刘策
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期515-521,共7页
单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应...
单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应变Si(001)任意晶向电子电导率有效质量与应力强度和应力类型的关系模型.本文的研究结果表明:1)单轴应力致电子迁移率增强的应力类型应选择张应力.2)单轴张应力情况下,仅从电子电导有效质量角度考虑,[110]/(001)晶向与[100]/(001)晶向均可.但考虑到态密度有效质量的因素,应选择[110]/(001)晶向.3)沿(001)晶面上[110]晶向施加单轴张应力时,若想进一步提高电子迁移率,应选取[100]晶向为器件沟道方向.以上结论可为应变SinMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供重要理论依据.
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关键词
单轴应变
e-k关系
电导有效质量
原文传递
题名
单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
被引量:
1
1
作者
靳钊
乔丽萍
郭晨
王江安
刘策
机构
长安大学信息工程学院
西安电子科技大学微电子学院
University of Houston
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期515-521,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:51277012,61162025)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:CHD2011ZD004,CHD2013JC023,CHD2013JC035,CHD2013JC048,CHD2013JC056)资助的课题~~
文摘
单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应变Si(001)任意晶向电子电导率有效质量与应力强度和应力类型的关系模型.本文的研究结果表明:1)单轴应力致电子迁移率增强的应力类型应选择张应力.2)单轴张应力情况下,仅从电子电导有效质量角度考虑,[110]/(001)晶向与[100]/(001)晶向均可.但考虑到态密度有效质量的因素,应选择[110]/(001)晶向.3)沿(001)晶面上[110]晶向施加单轴张应力时,若想进一步提高电子迁移率,应选取[100]晶向为器件沟道方向.以上结论可为应变SinMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供重要理论依据.
关键词
单轴应变
e-k关系
电导有效质量
Keywords
uniaxial strain,
e-k
relation, conductivity effective mass
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
靳钊
乔丽萍
郭晨
王江安
刘策
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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