GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响

根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率。