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一种混合型超高速低功耗ECL电路的设计 被引量:2
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作者 万天才 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期1-4,共4页
本文提出了一种混合型超高速低功耗ECL电路结构,并用该电路结构设计制作了工作频率达1000MHz的多功能波形变换器,解决了超高速与低功耗之间的矛盾,适于设计制作超高速大规模集成电路。
关键词 分频器 ecl电路 电路设计
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一种超高速八位移位寄存器
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作者 万天才 孙微风 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第3期17-22,共6页
介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比... 介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。 展开更多
关键词 移位寄存器 ecl电路 硅双极工艺
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一种1.3GHz硅双模预置分频器
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作者 王永禄 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第3期5-9,13,共6页
本文介绍了一种硅双模预置分频器(÷40/42)的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用3μm设计规则的硅双极型pn结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ECL高速电路制作技术,双模预置分频器最高工作... 本文介绍了一种硅双模预置分频器(÷40/42)的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用3μm设计规则的硅双极型pn结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ECL高速电路制作技术,双模预置分频器最高工作频率在-55℃~+125℃环境温度范围内达1300MHz以上,并且具有输入动态范围大、电源电压宽等特点。 展开更多
关键词 ecl 触发器 预置分频器 硅双极工艺
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