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Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制
被引量:
3
1
作者
叶超
宁兆元
+2 位作者
辛煜
王婷婷
俞笑竹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期2606-2612,共7页
研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小...
研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
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关键词
SiCOH薄膜
Si-OH结构
介电性能
ecr放电等离子体
原文传递
题名
Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制
被引量:
3
1
作者
叶超
宁兆元
辛煜
王婷婷
俞笑竹
机构
苏州大学物理科学与技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期2606-2612,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10575074)
苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题~~
文摘
研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
关键词
SiCOH薄膜
Si-OH结构
介电性能
ecr放电等离子体
Keywords
SiCOH films, Si-OH bonding, dielectric property, electron cyclotron resonance plasma
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制
叶超
宁兆元
辛煜
王婷婷
俞笑竹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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