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VLSI器件按比例缩小的发展趋势及挑战
被引量:
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作者
徐光
《科技广场》
2017年第4期103-107,共5页
随着微电子技术的不断进步,集成电路进入超大规模集成电路(VLSI)时代,半导体器件的尺寸则达到了深亚微米量级,并且器件的尺寸还在进一步缩小。在器件缩小的过程中,出现了一些制约因素限制了器件的进一步发展,例如阈值电压减小的限制、...
随着微电子技术的不断进步,集成电路进入超大规模集成电路(VLSI)时代,半导体器件的尺寸则达到了深亚微米量级,并且器件的尺寸还在进一步缩小。在器件缩小的过程中,出现了一些制约因素限制了器件的进一步发展,例如阈值电压减小的限制、杂质随机分布的影响、互连线延迟时间的影响等。只有很好的解决这些问题,电路的集成度才能有进一步发展的空间。
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关键词
阈值电压
互连线RC延迟
ej-dtmos
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职称材料
题名
VLSI器件按比例缩小的发展趋势及挑战
被引量:
1
1
作者
徐光
机构
海装上海局
出处
《科技广场》
2017年第4期103-107,共5页
文摘
随着微电子技术的不断进步,集成电路进入超大规模集成电路(VLSI)时代,半导体器件的尺寸则达到了深亚微米量级,并且器件的尺寸还在进一步缩小。在器件缩小的过程中,出现了一些制约因素限制了器件的进一步发展,例如阈值电压减小的限制、杂质随机分布的影响、互连线延迟时间的影响等。只有很好的解决这些问题,电路的集成度才能有进一步发展的空间。
关键词
阈值电压
互连线RC延迟
ej-dtmos
Keywords
Threshold Voltage
Delay Time of Interconnect
ej-dtmos
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
VLSI器件按比例缩小的发展趋势及挑战
徐光
《科技广场》
2017
1
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