未掺杂LECSIGaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布

用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆ＿ｎ）的分布，结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据函数均呈不均匀分布，电中性的和总ＥＬ２浓度径向分布均为ｗ形，电中性ＥＬ２Ｗ形径向分布不是由于ｆ＿ｎ的波动。

热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

对非掺杂 (ND)半绝缘 (SI)液封直拉 (LEC)GaAs单晶在 5 0 0～ 1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火 ,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响 。

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。

掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。

非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系

利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。

半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应

本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。

增强型第二层隧道协议eL2TP设计与实现

分析了第二层隧道协议L 2TP的工作原理,讨论了该协议的安全缺陷,并列举了攻击者可能进行的攻击手段.针对L 2TP协议的安全漏洞,提出了增强型第二层隧道协议eL 2TP的概念.通过设计eL 2TP的报头格式,以及在第二层隧道协议中引入双向认证、有条件的不定期认证、数据加密和完整性验证等思想,形成在实现上与L 2TP兼容、在安全性能上比L 2TP更高的增强型第二层隧道协议eL 2TP.

VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究

为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率>1×10^8Ω·cm及迁移率>5×10^3 cm^2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性。

未掺杂半绝缘GaAs中受主及电中性EL2分布的研究

测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中总的、电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是Ｍ形。电中性ＥＬ２的Ｗ形径向分布由总ＥＬ２浓度的Ｗ形径向分布决定，而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度．意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。

砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度

介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.

EL2能级和光电离截面的计算

我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电离截面,计算结果与实验结果相符。

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响程度与EL2能级的缺陷密度呈线性关系。

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性的机理研究

本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．

用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性

本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。

增强型第二层隧道协议eL2TP的加密机制

L2TP是工业标准的Internet隧道协议,由于它不提供数据的加密机制,不能保证数据的机密性.故提出增强型第二层隧道协议eL2TP解决方案,该方案扩展了L2TP协议,借助微软点到点加密协议MPPE保证数据的机密性.

一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。

未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系

在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别．这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动．

eL2TP协议中安全认证机制的研究与设计

介绍了L2TP协议中的安全认证机制,分析了L2TP在安全上的一些弱点,并参照MS-CHAPv2提出了增强型第二层隧道协议的安全认证机制。