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热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性
被引量:
2
1
作者
杨瑞霞
李光平
+2 位作者
汝琼娜
李静
罗晋生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期68-74,共7页
对未掺杂原生LECSIGaAs单晶在500~1170℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火,研究了这种热处理对EL2分布的影响,并检测了位错和As沉淀的变化。结果表明,650℃以上温度的热处理可以改善EL2分布...
对未掺杂原生LECSIGaAs单晶在500~1170℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火,研究了这种热处理对EL2分布的影响,并检测了位错和As沉淀的变化。结果表明,650℃以上温度的热处理可以改善EL2分布均匀性,且在650~950℃温度范围的热处理中,EL2均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外,两步或三步热处理的样品中EL2分布甚至比单步热处理样品中更优。950℃以下的热处理和淬火对位错和As沉淀无明显影响。但是1170℃热处理井淬火后位错密度增加大约30%,As沉淀消失。对经1170℃淬火的样品再进行80O℃或950℃的热处理,As沉淀重新出现。EL2分布的变化可能与点缺陷、位错和As沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型,利用该模型可解释不同条件热处理后EL2分布的变化。
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关键词
el2
热处理
淬火
位错
砷沉淀
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性
被引量:
2
1
作者
杨瑞霞
李光平
汝琼娜
李静
罗晋生
机构
河北工学院电子系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期68-74,共7页
文摘
对未掺杂原生LECSIGaAs单晶在500~1170℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火,研究了这种热处理对EL2分布的影响,并检测了位错和As沉淀的变化。结果表明,650℃以上温度的热处理可以改善EL2分布均匀性,且在650~950℃温度范围的热处理中,EL2均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外,两步或三步热处理的样品中EL2分布甚至比单步热处理样品中更优。950℃以下的热处理和淬火对位错和As沉淀无明显影响。但是1170℃热处理井淬火后位错密度增加大约30%,As沉淀消失。对经1170℃淬火的样品再进行80O℃或950℃的热处理,As沉淀重新出现。EL2分布的变化可能与点缺陷、位错和As沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型,利用该模型可解释不同条件热处理后EL2分布的变化。
关键词
el2
热处理
淬火
位错
砷沉淀
砷化镓
Keywords
el2 annealing quenching dislocation as precipitates
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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出处
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被引量
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1
热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性
杨瑞霞
李光平
汝琼娜
李静
罗晋生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
2
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职称材料
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