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选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究
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作者 陆生礼 丁勇 时龙兴 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期577-581,共5页
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.
关键词 旁栅效应 特性 沟道-衬底结 el2碰撞电离
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