掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。

热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响

利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定,真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时,EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。

砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年

本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.

GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟

GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究。用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间隙、砷间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析。计算得到的本征缺陷能级有助于分析GaAs可饱和吸收体中EL2深能级缺陷的形成机理。

半绝缘砷化镓的热激电流谱测量

本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。