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ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究 被引量：2
1
作者 陈南翔 张旭光 +2 位作者 张美云 李映雪 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期270-273,共4页
在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm^2/V.s及 200 cm^2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10^(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.
关键词 elo/soi膜 短沟道 制备工艺
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