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关于薄SiO2膜击穿的碰撞电离模型
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作者 张积之 《上海半导体》 1992年第2期34-40,共7页
关键词 SIO2 击穿 碰撞电离 MOS器件 IC
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(e,2e)反应三重微分截面的计算(英文) 被引量:1
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作者 陈长进 施启存 +2 位作者 贾祥富 陈激 徐克尊 《计算物理》 CSCD 北大核心 1998年第2期125-130,共6页
给出了利用BBK模型计算电子碰撞电离H,He+,He和Li+三重微分截面的通用方法,适用于中、高入射能量下的各种几何条件。计算结果与其它理论结果和实验数据进行了比较,符合得很好。
关键词 (e 2e) 电子碰撞电离 三重微分截面
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氨基甲酸酯类化合物电喷雾多级质谱分析中一种特殊的中性丢失CO_2的重排反应 被引量:5
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作者 董宇 仇峰 +2 位作者 张玉峰 钟大放 闫存玉 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2005年第1期6-9,共4页
采用电喷雾电离 -离子阱质谱和电喷雾电离 -傅立叶变换离子回旋共振质谱技术 ,对 2种具有氨基甲酸酯结构的化合物进行碰撞诱导解离研究。注射泵直接进样 ,正离子方式检测。在其二级质谱图中主要产生[M+H-44 ]+ 的碎片离子 ,通过对碎片... 采用电喷雾电离 -离子阱质谱和电喷雾电离 -傅立叶变换离子回旋共振质谱技术 ,对 2种具有氨基甲酸酯结构的化合物进行碰撞诱导解离研究。注射泵直接进样 ,正离子方式检测。在其二级质谱图中主要产生[M+H-44 ]+ 的碎片离子 ,通过对碎片离子进行精确质量测定 ,证实为化合物的氨基甲酸酯部分脱去一分子CO2 而形成 ,这一现象同样出现在另外 5种具有氨基甲酸酯结构化合物的碰撞诱导解离分析中。推测这一包含两个化学键断裂的中性丢失可能经历特殊的分子内重排过程 ,并对其重排裂解机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 中性丢失 CO2 酯类化合物 重排反应 质谱分析 氨基甲酸酯 电喷雾电离 多级 离子回旋共振 碰撞诱导解离 碎片离子 傅立叶变换 离子阱质谱 分子内重排 质谱技术 直接进样 质量测定 解离分析 裂解机理 注射泵 质谱图 正离子
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氦原子(e,2e)反应中末通道屏蔽效应的理论研究 被引量:4
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作者 张穗萌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期247-251,共5页
在Chen等人工作 ( 2 0 0 1,Chin .Phys .10 2 90 )的基础上 ,进一步对 (e ,2e)反应的末态He+中核外电子的有效屏蔽给出修正。并用修正后的索末菲参量计算了入射能为 4 0eV时 ,共面不对称几何条件下电子离化He原子的三重微分截面。所得... 在Chen等人工作 ( 2 0 0 1,Chin .Phys .10 2 90 )的基础上 ,进一步对 (e ,2e)反应的末态He+中核外电子的有效屏蔽给出修正。并用修正后的索末菲参量计算了入射能为 4 0eV时 ,共面不对称几何条件下电子离化He原子的三重微分截面。所得结果与其它理论结果及最新绝对测量的实验数据进行比较发现 展开更多
关键词 氦原子 (E 2E)反应 末通道屏蔽效应 三重微分截面 HE原子 电子离化 有效电荷 电离 电子碰撞
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GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用
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作者 李兴鳌 桑斌 +3 位作者 肖渊 阮存军 庞文宁 尚仁成 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期30-32,共3页
GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波... GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极 ,来获得自旋极化的电子束 .详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程 ,并介绍了极化电子在极化 (e ,2e) 展开更多
关键词 GaAs光致发射极化电子源 极化电子束 负电子亲和势 极化(e.2e) 砷化钙半导体 极化电子 碰撞电离
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Ar (e ,3e)实验中TS2机制的明显证据(英文)
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作者 贾昌春 A.Lahmam-Bennani +3 位作者 A.Duguet L.Avaldi M.Lecas C.Dal Cappello 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期147-149,共3页
通过比较Ar在低碰撞能量下的 (e ,3e)双电离实验结果和基于包含一次作用机制SO和TS1的一阶波恩近似的理论计算结果 ,表明在动量转移方向上对称性的破坏显示非一次效应 (例如二型两步作用机制 )起非常重要的作用 .
关键词 AR TS2机制 电离实验 五重微分截面 碰撞能量 分子碰撞
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Transfer Ionization Processes in Collisions between S^(q+) and H_2, He
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作者 Wang Zhenglin Ma Xinwen Wei Baoren Chen Ximen Liu Huiping Yang Zhihu Yu Deyang Lu Rongchun Liu Zhaoyuan 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》 2004年第1期120-120,共1页
Molecular H2 is extensively existing in interstellar plasma and play an important role in various charge exchange processes. Collisions between multiply charged S ions and H2, atomic H and He are key processes in inve... Molecular H2 is extensively existing in interstellar plasma and play an important role in various charge exchange processes. Collisions between multiply charged S ions and H2, atomic H and He are key processes in investigation of the plasma related to Jupiter. The present work is focusing on the mechanism of collisions between Sq and H2, He. Although both the targets have two electrons, the outgoing channels are quite different, because molecular hydrogen can undergo dissociation and Coulombic explosion after charge transfer: 展开更多
关键词 碰撞机制 H2 电离过程 广场 电荷转移 氢分子 交换过程 等离子体
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用(e,2e)电子碰撞电离测量乙烯分子中的扭曲波效应
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作者 任雪光 宁传刚 +2 位作者 邓景康 张书锋 苏国林 《物理》 CAS 北大核心 2006年第5期393-397,共5页
利用新一代高性能(e,2e)电子动量谱仪,在400—2400eV的大范围入射电子能量条件下,测量了乙烯分子电子密度的动量分布.实验测量的乙烯1b3g轨道电子动量分布与平面波冲量近似的理论计算结果相比,在低动量区和高动量区出现明显的上翘(turn... 利用新一代高性能(e,2e)电子动量谱仪,在400—2400eV的大范围入射电子能量条件下,测量了乙烯分子电子密度的动量分布.实验测量的乙烯1b3g轨道电子动量分布与平面波冲量近似的理论计算结果相比,在低动量区和高动量区出现明显的上翘(turnup)效应,并且此上翘效应随着入射电子能量的增加而逐渐减小.进一步的分析证实由于分子的扭曲波效应引起1b3g轨道动量分布在低动量区和高动量区的上翘.实验测量结果将对分子扭曲波理论计算的建立提供实验依据. 展开更多
关键词 电子动量谱学 扭曲波效应 (e 2e)电子碰撞电离 乙烯分子
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旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡 被引量:1
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作者 丁勇 赵福川 +2 位作者 毛友德 夏冠群 赵建龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1228-1230,共3页
通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
关键词 低频振荡 沟道-衬底结 el_(2)碰撞电离
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CS_2团簇增强的激光多价电离现象的质谱研究 被引量:2
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作者 肖雪 李海洋 +6 位作者 罗晓琳 牛冬梅 温丽华 王宾 梁峰 侯可勇 张娜珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5098-5103,共6页
利用脉宽为25ns的脉冲Nd:YAG532nm的激光,在8×1010W/cm2的强度下,用飞行时间质谱对CS2的激光电离过程进行了研究.观察到了较强的C2+和S2+高价离子信号,这些高价离子C2+,S2+的最可几平动能高达144eV,112eV.不同进样方式,激光延迟以... 利用脉宽为25ns的脉冲Nd:YAG532nm的激光,在8×1010W/cm2的强度下,用飞行时间质谱对CS2的激光电离过程进行了研究.观察到了较强的C2+和S2+高价离子信号,这些高价离子C2+,S2+的最可几平动能高达144eV,112eV.不同进样方式,激光延迟以及束源压力的实验结果表明,这些高价离子可能来源于CS2团簇的库仑爆炸过程.多光子电离引发,逆韧致吸收加热-电子碰撞电离模型可能是高价离子产生的机理. 展开更多
关键词 CS2 团簇 高价离子 激光电离 飞行时间质谱 电离过程 CS2 激光 团簇 高价离子 多价 Nd:YAG 电子碰撞电离
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氢原子谱线测定EACVD中电子平均温度 被引量:3
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作者 尚勇 董丽芳 王志军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期494-496,共3页
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2 混合气体为原料气体的EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。在模拟中考虑了电子与H2 的弹性碰撞及振动激发、分解、电子激发、相应于Hα,Hβ,Hγ谱线的激发、电离及分解电离等非弹性碰撞过程;与CH4的碰撞... 采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2 混合气体为原料气体的EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。在模拟中考虑了电子与H2 的弹性碰撞及振动激发、分解、电子激发、相应于Hα,Hβ,Hγ谱线的激发、电离及分解电离等非弹性碰撞过程;与CH4的碰撞考虑了弹性动量传输及振动激发、分解、电子激发、电离及分解电离等非弹性碰撞过程。研究了不同CH4浓度下基片表面上电子平均温度与氢原子谱线相对强度的关系,给出了一种对EACVD中电子平均温度进行实时监测的方法。对于有效控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。 展开更多
关键词 EACVD 平均温度 氢原子 测定 蒙特卡罗方法 振动激发 电子激发 碰撞过程 金刚石薄膜 CH4 发射过程 混合气体 弹性碰撞 动量传输 相对强度 实时监测 工艺条件 有效控制 非弹性 分解 电离 γ谱线 模拟 H2 表面
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选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究
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作者 陆生礼 丁勇 时龙兴 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期577-581,共5页
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.
关键词 旁栅效应 特性 沟道-衬底结 el2碰撞电离
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共面双对称几何中Li^+(1s^2)(e,2e)反应的理论研究 被引量:1
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作者 贾祥富 杨威 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期629-632,共4页
利用Berakdar理论,考虑了入射道的库仑相互作用,在共面双对称碰撞几何中,计算了能量为251eV入射电子碰撞Li+(1s2)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),讨论了不同散射振幅对截面的贡献,分析了干涉效... 利用Berakdar理论,考虑了入射道的库仑相互作用,在共面双对称碰撞几何中,计算了能量为251eV入射电子碰撞Li+(1s2)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),讨论了不同散射振幅对截面的贡献,分析了干涉效应及入射道库仑场对截面的影响.结果表明,它们对决定TDCS的角度分布和大小起着重要作用. 展开更多
关键词 共面双对称几何 原子电离 (E 2E) 电子碰撞
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旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制
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作者 丁勇 陆生礼 赵福川 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1145-1148,共4页
在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用,无论旁栅... 在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用,无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡.理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.这一结论对于设计低噪声GaAsIC具有十分重要的指导意义. 展开更多
关键词 MESFET 沟道电流 GaAs 低频振荡 栅偏压 振荡现象 输出特性 调制作用 通过测试 碰撞电离 低噪声 el2 深能级 压条 衬底 IC
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低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析 被引量:3
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作者 崔星宇 林逢源 +6 位作者 张志宏 唐吉龙 方铉 房丹 王登魁 李科学 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第17期10-16,共7页
提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。... 提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。采用器件仿真器Silvaco对器件进行建模,仿真计算了新结构器件的能带结构、电场分布、暗电流、光响应电流和增益等。新结构器件可以获得较低的噪声系数k(k=α/β,其中α、β分别为空穴与电子的电离系数),在30 V电压下,k=0.15。与常规的SACM InP APD相比,分析结果表明,新结构APD器件具有了较好的噪声特性。 展开更多
关键词 材料 INGAAS/INP 碰撞电离工程(I^(2)E) 吸收区-电荷区-倍增区分离 电离阈值能量 过剩噪声
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