基于EMMI定位的GaN HEMT耐正向可靠性研究

GaN HEMT器件在高温栅偏压(HTGB)应力下会出现势垒退化现象,并进一步引发器件在射频工作下的不稳定和失效问题。使用微光显微镜(EMMI)作为主要工具,对器件的HTGB退化问题进行了研究。讨论了不同电偏置条件下器件EMMI发光的分布和形成机理,并对比了器件在HTGB试验前后EMMI发光图像的变化。HTGB后器件在反偏电场下出现明显新增EMMI亮点,对亮点的微区分析定位到栅下有外延位错对应的局部烧毁点。研究表明,延伸至栅下的外延位错会构成漏电通道,对HTGB下的退化和失效存在贡献。

联用动态EMMI与FIB的集成电路失效分析

EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑单元,需要使用动态信号驱动集成电路,使内部失效部位能够产生光发射。对样品在动态失效工作状态进行光发射捕捉,再结合良品对比、电路原理图和版图分析等辅助手段进行故障假设,以定位失效点,最后利用FIB系统对电路进行剖面切割制样,找出物理损伤点。对砷化镓数字集成电路的不稳定软失效案例进行分析,动态EMMI法与FIB系统联用可成功应用于芯片内部金属化互连异常的失效分析,解决传统静态光发射法无法定位的技术难题。

微光显微镜(EMMI)在器件失效分析中的应用

本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片失效分析提供技术手段。

基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例

介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效快速的优点,可以为提升GaAs数字电路可靠性提供有力的技术支持,值得广泛应用。

EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析

首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最大可能是由于控制端电阻过大引发RC延迟现象,进而导致关断或开启延迟故障。然后通过微光显微镜和激光感应阻抗变化率对故障件进行故障定位确定了故障点,为分析结果提供了依据。

摩托罗拉EMMI BOX使用秘诀

4.软件问题,主要有两种表现。(l)屏幕显示“e1-0102”,功能失调,维修时,可拆下码片(码片位于CPU右下方,型号为24c04;上方为资料存储器,存电话簿,型号为24c64),然后用LT-48编程器读取码片原始资料,并记录好,再将备份好的码片资料调出,并填好记录的原始资料,重新覆盖。

摩托罗拉EMMI系列手机——故障维修经典回顾

EMMI是摩托罗拉GSM手机的一种开发平台，主要用于L2000系列、V8088、V998、P7X89系列的手机。在该系列手机中最经典的机型就是V998和V8088，而V998又有单加和双加多种版本，不同的版本之间及它们与V8088之间主板的区别：一是字库不同，V998、V998+的字库为28F16083B，V998++、V8088的字库为28F32083B；二是显示排线插座处前者是电阻，后者是电容。

芯片短路失效分析注意点

对芯片内部短路失效,可以使用EMMI和OBIRCH测试进行定位,但又不能完全采用常规的失效分析方法,本文就芯片内部短路失效注意点进行详细剖析。

基于健壮性单脉冲大电流问题的分析

阐述芯片设计中的健壮性测试。由于芯片的健壮性设计不可前置仿真,导致芯片的健壮性测试中出现各种失效问题,大电流问题是其中之一,最终导致芯片的整体健壮性性能下降。在实际项目对健壮性的单脉冲测试中,探讨产生的大电流问题,并进行分析和定位,明提出一套分析健壮性大电流问题的方法,可快速的定位出大电流的失效及产生机理。

电流拥挤效应与LED器件可靠性分析

对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性。最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。

由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析

随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。

SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析

静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。

基于SIFT技术的集成电路失效缺陷分析

激励源诱导故障测试(SIFT)是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析。在介绍SIFT技术工作原理的基础上,利用该技术进行了六反相器电路的深埋层缺陷、收发器电路中电源与地之间漏电流失效和串行输出模数转换电路MOS器件欧姆短路的定位,并结合微结构观测分析了失效原因。研究结果表明,SIFT技术能有效分析光发射显微镜(EMMI)和激光光束诱导阻抗变化测试(OBIRCH)技术较难定位的缺陷,弥补了这些常规失效分析技术的不足。

一款数字信号处理器的失效分析研究

集成电路在实际应用中,经常会出现工作异常甚至失效的情况。当电路发生失效时,需要采用各种手段尽快定位问题所在,在本地复现相关现象,明确问题原因,进而提出针对性的解决方案。介绍一款数字信号处理器电路的失效分析过程。包括问题的出现,现场确认,失效现象复现,借助Latch-up、EMMI设备分析问题,提出改版方案。

爱米·诺特对交换环论的贡献

抽象代数是数学的重要分支,主要研究群、环、域、模、格等数学结构。环论是抽象代数中较为深刻的一部分,按照乘法是否满足交换律,环可以划分为交换环和非交换环两大类。在详尽占有并阅读原始文献和研究文献的基础之上,分析了爱米·诺特为何从不变量论转到交换环论的研究,并且揭示了爱米·诺特通过对升链条件的重视与应用,完成对抽象环,特别是诺特环的公理刻画,从而建立起抽象交换环论,并促使抽象代数学这门学科正式建立起来。

电源管理IC失效模式验证及定位方法

电源管理集成电路（IC）的自动测试机（ATE）测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题。针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法。综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因。

震动世界数坛的曾炯博士

在世界数学史上，曾炯博士曾对抽象代数作出过重要贡献。在３０年代初，曾炯获哥廷大学博士学位后，回国从事数学工作，培养科学人才，并积极参加抗日救国活动，由于过分艰苦劳累，不幸于１９４０年１１月在西昌病逝。

新一代环境监测与管理信息系统的支撑技术

论述了新一代环境监测与管理信息系统 (EMMIS)的支撑技术、开发手段及其功能特点 ;重点阐述了新一代环境监测与管理信息系统支撑技术在环境科学中的典型应用 ,包括基础信息综合管理、环境动态监测、环境演变模拟和预测、环境规划与决策、环境灾害监测与预报、环境管理、环境综合分析与评价等。

环境监测管理信息系统的构建

针对目前环境监测信息管理的薄弱环节,从监测、综合以及管理等多个角度,对环境监测管理信息系统的总体架构、基本功能及技术要求进行探讨。

GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。