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高重频Nd:YVO_4声光调Q与RTP电光调Q激光器实验对比分析 被引量:12
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作者 张健 于永吉 +4 位作者 姜承尧 王子健 王彬 陈薪羽 金光勇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期100-104,共5页
报道了相同实验条件下激光二极管端面抽运生长型复合Nd:YVO4晶体声光调Q和RTP电光调Q激光器。应用声光调Q和RTP电光调Q分别实现了最高重复频率200 k Hz和500 k Hz的TEM00模1 064 nm激光输出,输出平均功率分别达到12.13 W和13.56 W,脉冲... 报道了相同实验条件下激光二极管端面抽运生长型复合Nd:YVO4晶体声光调Q和RTP电光调Q激光器。应用声光调Q和RTP电光调Q分别实现了最高重复频率200 k Hz和500 k Hz的TEM00模1 064 nm激光输出,输出平均功率分别达到12.13 W和13.56 W,脉冲宽度分别为16.65 ns和27.27 ns,并首次对比了两种调Q体制下的高重频激光输出特性。实验结果表明,RTP电光调Q具有更好的高重频关断能力,但由于受到高压驱动的限制,RTP电光调Q无法在更高重复频率下实现窄脉宽高峰值功率激光输出,而在更高重频下仍有较好输出性能的声光调Q将取代电光调Q成为几百千甚至上兆Hz高重频激光器的首选调Q机制。 展开更多
关键词 激光器 高重频 声光调q RTP电光调q 生长型复合Nd:YVO4晶体
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Nd∶YAG激光器电光调Q偏振片漏光现象的实验研究 被引量:4
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作者 赵茗 黄维玲 +1 位作者 胡鹏 李志刚 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期85-87,共3页
对前级激光振荡、后级激光放大的脉冲Nd∶YAG激光器采用经典电光调Q的方法 ,实现了最大输出峰值功率 5 0MW左右 ,脉宽为 13ns,重复频率为 1Hz~ 2 0Hz的调Q脉冲。实验中对偏振片侧面反射出较强激光的特殊现象做了深入的分析和探讨 ,指... 对前级激光振荡、后级激光放大的脉冲Nd∶YAG激光器采用经典电光调Q的方法 ,实现了最大输出峰值功率 5 0MW左右 ,脉宽为 13ns,重复频率为 1Hz~ 2 0Hz的调Q脉冲。实验中对偏振片侧面反射出较强激光的特殊现象做了深入的分析和探讨 ,指出了该现象产生的原因及如何利用这种现象来指导电光调Q类激光器的调试 ,最后给出了一些提高调Q效果的改进措施 ,具有较强的实践意义和普遍适用性。 展开更多
关键词 电光调q开关 漏光 偏振 退偏度 延时调节
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高能电光调Q Cr,Tm,Ho∶YAG激光器
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作者 杨杰 武晓东 +1 位作者 顾华东 郑陈琪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期167-170,共4页
研究了室温运转灯泵电光调Q Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的激光输出特性。选用高损伤阈值的掺镁LN晶体作为调Q晶体,并采用λ/4波片和平面镜组合的方式对热退偏效应进行补偿,从而实现了室温下电光调Q Cr,Tm,Ho∶YAG激光器大能量输出。在冷却水温... 研究了室温运转灯泵电光调Q Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的激光输出特性。选用高损伤阈值的掺镁LN晶体作为调Q晶体,并采用λ/4波片和平面镜组合的方式对热退偏效应进行补偿,从而实现了室温下电光调Q Cr,Tm,Ho∶YAG激光器大能量输出。在冷却水温为22℃,重复频率为1 Hz,泵浦能量为200 J的条件下,得到了单脉冲能量443 mJ,脉宽90 ns的调Q输出。理论分析了λ/4波片对热退偏效应的补偿效果,实验测量和分析了偏振片、LN晶体等调Q器件的插入损耗,并分析了激光器输出能量对重复频率的依赖现象。 展开更多
关键词 激光器 高能量 电光调q 掺杂LN晶体 热退偏 琼斯矩阵
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硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究 被引量:9
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作者 王继扬 尹鑫 +2 位作者 张少军 张怀金 蒋民华 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2007年第3期344-360,共17页
硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光... 硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。 展开更多
关键词 硅酸镓镧晶体 电光性质 电光q开关 光学级单晶生长
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