EEPROM存贮单元的版图设计

本文阐述了浮栅ＥＥＰＲＯＭ存贮单元的工作原理及图形设计的方法考虑。比较和分析了四种不同的单元图形的利弊得失以及ＥＥＰＲＯＭ中低掺杂漏区（ＬＤＤ）结构的图形与工艺技术。

应用于存储卡中的新型EEPROM单元结构

通常的ＥＥＰＲＯＭ单元在应用于实际的存储卡时，因为进位而导致逻辑操作复杂。文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因，提出了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ单元结构，并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善。通过该结构与常规ＥＥＰＲＯＭ单元的应用加以比较，进一步说明了其优点。

一种高速低功耗EPROM读写电路

本文主要介绍一种高速低功耗ＥＰＲＯＭ读写电路，包括ＥＰＲＯＭ单元管、读写电路，以及产生写ＥＰＲＯＭ所需高电压的高电压发生器，并着重分析了ＥＰＲＯＭ读写电路低功耗的特点。

SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命

集成电路芯片设计是IC产业链的龙头,而系统芯片(SOC)集中了芯片设计的先进技术。本文论述了SOC芯片的最新设计技术和焦点技术,包括嵌入式CPU,IP模块设计以及芯片的验证和测试等,展望了当前SOC芯片设计的发展趋势。

N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响

为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。

一种FLASH存储单元的结构及功能分析

讨论了一种新颖的不挥发存储器单元——ＦＬＡＳＨ的结构描述及器件模拟，对实验单元进行了测试，采用分离电压的方法进行擦操作并进行分析。这种单元占用芯片面积小，很有发展前景。

RFID标签芯片的最新研究进展

射频识别(RFID)系统是一种具有广泛应用前景的自动识别系统。近年来,射频识别技术以快速增长趋势在供应链、门禁、公交系统、行李跟踪等领域获得了广泛的应用。文章详细论述了不同频段RFID标签芯片的最新研究进展,对标签芯片的核心模块射频模拟前端、数字控制器、存储器的研究及发展趋势进行了分析。最后,讨论了标签芯片的发展方向。

浮栅E^2PROM内部工作电压的设计

详细地描述了Ｅ２ＰＲＯＭ电路中内部工作电压的设计原理，介绍了实际的高压泵、斜波电路、电压切换电路。用ＣｄｓＳｐｉｃｅ软件对线路进行了模拟，得到了同预计相吻合的结果。

SoC实时信号处理系统中的存储系统设计

在实时信号处理系统中,常常需要对原始数据以及中间处理数据以行或列交错的形式进行访问,使用通用的DDR-SDRAM系统难以满足系统的实时要求.在基于SoC(System on Chip)技术的实时信号处理系统中,设计了具有全新体系结构的存储系统,新的存储系统的访存效率达到一般的DDR-SDRAM的2～3倍左右.

E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制

提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ（沟道内平均杂质浓度）由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。经工艺实验得到的两条控制曲线均可将ＶＴＤ控制在－２．５～－３．５Ｖ之间。

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压（ＶＰＴ），用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低压区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺可大幅度提高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；

E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求。

容量可变的嵌入式同步SRAM电路的设计与实现

提出了一种容量可变的嵌入式同步ＳＲＡＭ。通过采用存储阵列的分块、敏感放大器的分级等技术，对电路的结构进行了优化。着重讨论了存储阵列的分块原则，分析了分块的字长、字数对电路的面积、速度、功耗等因素的影响。采用０．６－μｍＣＭＯＳ工艺，容量为２ｋ×１６ｂｉｔ的ＳＲＡＭ可工作在１００ＭＨｚ的频率下，芯片面积为２．５３ｍｍ×２．７５ｍｍ，平均功耗为４．７ｍＷ／ＭＨｚ。

一种全功能2kbE2PROM的研制

论述了Ｅ２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计、升压电路设计、存储阵列设计等，然后扼要介绍其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。