掺杂分布对EPROM编程的影响

在EPROM器件中,栅注入电流Ig对于Si表面的可动电子浓度n和电场E非常敏感。我们用二维电子温度器件模拟程序研究了n、E和Ig与掺杂分布的关系。 我们研究了沟长L=2(μm)、浮置栅氧化层厚度T_(ox)=400(?)的双栅EPROM器件。漏极写入电压采用17V,产生的漏电流为1.2mA。我们在一个等效的MOSFET上调节栅电压,以便使漏电流I_d与这一写电流相等,发现三种不同的沟道分布的浮置栅压(V_(gf))当量为12.8V、13.9V和16V。

可编程器件在接收电路中的应用

介绍了用EPROM器件构成增益控制电路的实现方法。

可擦写存储器及测试编程

目前，在微机系统及计算机应用领域，尚大量使用EPROM器件。严格测试这些器件的逻辑功能和直流、交流参数是十分必要的。文章首先粗略介绍了这类器件的一般工作原理、数据写入及擦除过程，然后，在多年实践的基础上，叙述了对EPROM进行智能编程、快速编程的方法及注意事项。最后，介绍了直流参数及交流参数的测试要点。